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公开(公告)号:CN1073284C
公开(公告)日:2001-10-17
申请号:CN95117176.3
申请日:1995-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/50 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4951 , H01L23/49568 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4826 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/20752
Abstract: 根据本发明的一种树脂制模的引线框架型半导体器件,具有一个金属引线框架和一个制模树脂LSI芯片,其特征在于,金属引线框架的引线通过相应的突起电极与LSI芯片上的多个电极电连接,从而提供减薄了厚度的半导体器件,其中金属引线框架和LSI芯片被树脂制模在器件的表面上,使不形成LSI图形的一面呈露出状态并进行磨削加工。
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公开(公告)号:CN1042684C
公开(公告)日:1999-03-24
申请号:CN94113514.4
申请日:1994-12-26
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H02H7/125
CPC classification number: H02H3/025 , H02H7/268 , H02H7/30 , Y10T307/25 , Y10T307/469 , Y10T307/492
Abstract: 本发明的直流电源电路提供了:一个将一组直流断路器3,4与一个半导体换流器1相连,并通过一个与每个直流断路器3,4相连的直流激励单元(如电动车)再返回到半导体换流器1的直流电源电路;一个容量比上述直流断路器大的第二直流断路器9设置在回路8中,并与探测到短路电流时该第二直流断路器9被断开;一个断开第二直流断路器9且使短路电流减小并流动的电流减小装置,例如,一个电阻R和电抗L串联的电路。
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公开(公告)号:CN1297239A
公开(公告)日:2001-05-30
申请号:CN00128548.3
申请日:2000-11-17
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01H33/59
CPC classification number: H01H33/596
Abstract: 一种换向型直流断路器,包括:第一主开关和第二主开关,串联插入在把直流电源与负载相连接的直流电路中;换向电路,与第一主开关并联连接,且包括第一辅助开关、第二辅助开关、第一电容器、第二电容器、和电抗器;控制单元;及过流断开装置。当断路器断开时,通过从具有不同电容值的两个电容器脱开在负载侧的电路,有可能防止由电容器充电电压引起的危害。而且,有可能把供有用于开关断开或闭合的指令的系统的数量减小到两个。
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公开(公告)号:CN1122963A
公开(公告)日:1996-05-22
申请号:CN94113514.4
申请日:1994-12-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H02H3/025 , H02H7/268 , H02H7/30 , Y10T307/25 , Y10T307/469 , Y10T307/492
Abstract: 本发明的直流电源电路提供了:一个将一组直流断路器3,4与一个半导体换流器1相连,并通过一个与每个直流断路器3,4相连的直流激励单元(如电动车)再返回到半导体换流器1的直流电源电路;一个容量比上述直流断路器大的第二直流断路器9设置在回路8中,并与探测到短路电流时该第二直流断路器9被断开;一个断开第二直流断路器9且使短路电流减小并流动的电流减小装置,例如,一个电阻R和电抗L串联的电路。
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公开(公告)号:CN1127429A
公开(公告)日:1996-07-24
申请号:CN95117176.3
申请日:1995-08-30
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/50 , H01L23/495 , H01L21/50 , H01L21/70
CPC classification number: H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/4951 , H01L23/49568 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/105 , H01L2224/32014 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/4826 , H01L2224/49175 , H01L2224/73215 , H01L2225/1029 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/20752
Abstract: 高可靠性、低成本、安装时可修复的极薄半导体装置。用多个该装置叠层构造,可提供比相同体积有更高功能的半导体模块,以及插件型模块。在模块制作时,可直接连接极薄引线框架和LIS芯片,用低粘度环氧树脂,使LSI芯片的里面露出来,进行薄型锭模。对里面部分进行磨削加工,使半导体装置整体进一步变薄。引线框架的一部分可作为加强部、放热部、有害光线遮光部、基板安装时适当的位置基准。
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