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公开(公告)号：CN1118069C
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN98116144.8
申请日：1994-06-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 一种半导体存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。该半导体存储器件包括设置为阵列形式的半导体存储单元阵列、与多个存储单元组共接的字线和数据线，各数据线都具有读出放大器，该存储器件还包括与各读出放大器相连接的公共数据线，所述各存储单元设置在第一读出放大器和第二读出放大器之间，且设置在第一公共数据线和第二公共数据线之间。
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公开(公告)号：CN1100553A
公开(公告)日：1995-03-22
申请号：CN94106214.7
申请日：1994-06-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 一种半导体非易失性存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。器件包括设置为阵列形式的非易失性半导体存储单元阵列、与多个存储单元组的控制栅共接的字线W1和W2及多个存储单元的漏极共接其上的数据线，各数据线都具有预充电电路、带有读出放大器和数据锁存器功能的数据保持电路和状态探测电路。再编程相对于连接到同一字线的所有存储单元(区段)同时进行。
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公开(公告)号：CN100435170C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200610081869.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C5/00
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 存储卡，包括安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；覆盖第一闪速存储器芯片和控制器芯片的密封件；以及覆盖密封件和基板之前面的壳体；其中第一安装部分可连接所述壳体，在所述壳体的两个拐角部分处形成有适配器；其中第二安装部分可连接壳体，在背面一侧处的两个拐角部分之间形成有适配器；以及其中第二安装部分具有第一凹槽和形成在第一凹槽中的第二凹槽，且第一和第二凹槽被形成为用于钩住适配器的爪部。
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公开(公告)号：CN1149183A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN95105499.6
申请日：1995-05-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: G11C16/3477 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/3468
Abstract: 一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作；对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作，并在这些不挥发存储单元上执行写操作；用相对小的能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。
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公开(公告)号：CN1855132A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610081869.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C5/00
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 存储卡，包括安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；覆盖第一闪速存储器芯片和控制器芯片的密封件；以及覆盖密封件和基板之前面的壳体；其中第一安装部分可连接所述壳体，在所述壳体的两个拐角部分处形成有适配器；其中第二安装部分可连接壳体，在背面一侧处的两个拐角部分之间形成有适配器；以及其中第二安装部分具有第一凹槽和形成在第一凹槽中的第二凹槽，且第一和第二凹槽被形成为用于钩住适配器的爪部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1439144A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01808343.9
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 采用使适配器2一侧的凹部配合在设置在小尺寸的存储卡1的器件帽3上的截面凸状的适配器安装部分3a上，使两者装卸自由地形成一个整体的办法，保持小尺寸的存储卡对已有的存储卡的尺寸上的互换性，使得小尺寸的存储卡1也可以在已有的存储卡应对设备中使用。
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公开(公告)号：CN1221957A
公开(公告)日：1999-07-07
申请号：CN98116144.8
申请日：1994-06-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C16/02
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 一种半导体存储器件,其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定,以便自动控制编程的继续和暂停等。该半导体存储器件包括设置为阵列形式的半导体存储单元阵列、与多个存储单元组共接的字线和数据线,各数据线都具有读出放大器,该存储器件还包括与各读出放大器相连接的公共数据线,所述各存储单元设置在第一读出放大器和第二读出放大器之间,且设置在第一公共数据线和第二公共数据线之间。
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公开(公告)号：CN101004944A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610081870.1
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: G11C5/00 , G06K19/077
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 存储卡包括：基板；安装在基板之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；以及覆盖基板、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的卡体；其中存储卡可与适配器相连；其中存储卡在不包括适配器时的平面尺寸小于32mm×24mm的尺寸，并在与适配器相连时被设定为32mm×24mm的尺寸，以及其中，第一闪速存储器芯片的平面面积大于控制器芯片的平面面积。采用使适配器2一侧的凹部配合在设置在小尺寸的存储卡1的器件帽3上的截面凸状的适配器安装部分3a上，使两者装卸自由地形成一个整体的办法，保持小尺寸的存储卡对已有的存储卡的尺寸上的互换性，使得小尺寸的存储卡1也可以在已有的存储卡应对设备中使用。
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公开(公告)号：CN1855133A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610081871.6
申请日：2001-12-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立超大规模集成电路系统株式会社
IPC: G06K19/077 , G11C5/00
CPC classification number: G06K19/077 , G06K19/07732 , G06K19/07737 , G06K19/07739 , G06K19/07743 , G11C5/04 , H01L23/5388 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/05599 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/85399 , H01L2924/00014 , H01L2924/01039 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H05K5/026 , H05K5/0282 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 一种存储卡，包括具有前面和背面的基板；安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片；用于安装在基板前面之上的第一闪速存储器芯片的控制器芯片；设置在基板背面上的多个外部端子；以及覆盖基板前面、第一闪速存储器芯片和控制器芯片的壳体；其中存储卡的平面尺寸小于由多媒体卡标准或SD卡标准定义的平面尺寸；以及其中壳体具有设置在壳体的两个拐角部分处的适配器安装部分。采用使适配器2一侧的凹部配合在设置在小尺寸的存储卡1的器件帽3上的截面凸状的适配器安装部分3a上，使两者装卸自由地形成一个整体的办法，保持小尺寸的存储卡对已有的存储卡的尺寸上的互换性，使得小尺寸的存储卡1也可以在已有的存储卡应对设备中使用。
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公开(公告)号：CN1087474C
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN94106214.7
申请日：1994-06-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C16/06
CPC classification number: G11C16/10
Abstract: 一种半导体非易失性存储器件，其中存储单元的状态相对于器件中的每一个数据线来确定，以便自动控制编程的继续和暂停等。器件包括设置为阵列形式的非易失性半导体存储单元阵列、与多个存储单元组的控制栅共接的字线W1和W2及多个存储单元的漏极共接其上的数据线，各数据线都具有预充电电路、带有读出放大器和数据锁存器功能的数据保持电路和状态探测电路。再编程相对于连接到同一字线的所有存储单元(区段)同时进行。
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