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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1098535C
公开(公告)日：2003-01-08
申请号：CN95107781.3
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社
Inventor： 和田省治 , 检见崎兼秀 , 村中雅也 , 尾方真弘 , 清柳秀明 , 北目哲也 , 片山雅弘 , 久保埜昌次 , 铃木幸英 , 森野诚 , 宫武伸一 , 春藤诚一 , 小山芳久 , 大野信彦
IPC: H01L21/82
Abstract: 一安装于存储器模块上的故障校正LSI，包括：用于捕获地址和控制信号的输入接口部分；一相应于存储器设备数据总线的输入/输出接口部分；一个存储器电路；一个冗余校正RAM部分；相应于一故障芯片地址把冗余校正RAM部分的数据输入/输出总线连接到一输入/输出电路的选择部分；相应于发现有故障的动态RAM选择性激活一将要连接到数据总线的输入/输出电路的数据输入/输出部分；以及一个屏蔽部分。
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公开(公告)号：CN1120243A
公开(公告)日：1996-04-10
申请号：CN94119526.0
申请日：1994-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社
IPC: H01L21/78
Abstract: 一个半导体集成电路，其中包括：一个生成高于所需内部电压的增压(推举)电压的电荷泵电路，一个根据基准电压形成多个分压的分压电路，以及一个控制电路，该控制电路间歇地控制电荷泵电路，以便电荷泵电路的输出电压为所需的内部电压，这是通过将多个分压中的一个特定电压扩大n倍后的电压与一预定分压相加而获得的。
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公开(公告)号：CN1081825C
公开(公告)日：2002-03-27
申请号：CN94119526.0
申请日：1994-12-16
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社
IPC: G11C11/40
Abstract: 一个半导体集成电路，其中包括：一个生成高于所需内部电压的增压(推举)电压的电荷泵电路，一个根据基准电压形成多个分压的分压电路，以及一个控制电路，该控制电路间歇地控制电荷泵电路，以便电荷泵电路的输出电压为所需的内部电压，这是通过将多个分压中的一个特定电压扩大n倍后的电压与一预定分压相加而获得的。
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公开(公告)号：CN1149183A
公开(公告)日：1997-05-07
申请号：CN95105499.6
申请日：1995-05-18
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社 , 日立东部半导体株式会社
CPC classification number: G11C16/3477 , G11C16/16 , G11C16/3409 , G11C16/3445 , G11C16/3468
Abstract: 一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作；对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作，并在这些不挥发存储单元上执行写操作；用相对小的能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。
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公开(公告)号：CN1124876A
公开(公告)日：1996-06-19
申请号：CN95107781.3
申请日：1995-06-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立ULSI工程株式会社
Inventor： 和田省治 , 检见崎兼秀 , 村中雅也 , 尾方真弘 , 清柳秀明 , 北目哲也 , 片山雅弘 , 久保埜昌次 , 铃木幸英 , 森野诚 , 宫武伸一 , 春藤诚一 , 小山芳久 , 大野信彦
IPC: H01L21/82
Abstract: 一安装于存储器模块上的故障校正LSI，包括：用于捕获地址和控制信号的输入接口部分；一相应于存储器设备数据总线的输入/输出接口部分；一个存储器电路；一个冗余校正RAM部分；相应于一故障芯片地址把冗余校正RAM部分的数据输入/输出总线连接到一输入/输出电路的选择部分；相应于发现有故障的动态RAM选择性激活一将要连接到数据总线的输入/输出电路的数据输入/输出部分；以及一个屏蔽部分。
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