公开(公告)号：CN1149183A

公开(公告)日：1997-05-07

申请号：CN95105499.6

申请日：1995-05-18

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  日立ULSI工程株式会社 ,  日立东部半导体株式会社

Inventor： 高桥正人 ,  小田桐美智子 ,  古野毅 ,  古泽和则 ,  和田正志

IPC: G11C7/00 ,  H01L27/78

CPC classification number: G11C16/3477 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3409 ,  G11C16/3445 ,  G11C16/3468

Abstract: 一个提供有存储单元可成批擦除的不挥发存储装置，通过程序操作，释放积累在浮栅上的电子电荷，适合执行擦除操作。执行次序为读擦除单位的存储单元，并在这些不挥发存储单元上执行预写操作；用相对大能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元高速执行批擦除操作；对全部擦除了的不挥发存储单元执行读操作，并在这些不挥发存储单元上执行写操作；用相对小的能量，对所说擦除单位的不挥发存储单元低速执行批擦除操作。