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公开(公告)号:CN1638117A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410100271.0
申请日:2004-12-10
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H05K1/0243 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H03H9/0542 , H03H9/0576 , H03H9/059 , H03H9/1085 , H03H9/72 , H03H9/725 , H05K1/182 , H05K3/3442 , H05K2201/10083 , H05K2201/10727 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题是实现在基板上安装了SAW封装体的高频模块的薄型化。此外,在使用进行了树脂封装的SAW封装体的情况下,提供在抗电磁噪声的性能方面良好的结构。使用至少1层的树脂基板200作为高频模块的基板,在该基板上形成贯通孔117。以下述方式安装以倒装芯片方式安装在陶瓷基板上安装SAW元件114并进行了树脂封装的SAW封装体204,即,使陶瓷基板大致位于贯通孔的外部,SAW元件大致位于贯通孔的内部。在贯通孔的周围的树脂基板的内层或背面上形成接地导体119、120。
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公开(公告)号:CN1841551A
公开(公告)日:2006-10-04
申请号:CN200610071011.4
申请日:2006-03-30
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C8/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C11/4096 , H01L24/50
Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101),所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS),并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113),每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路,其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上,能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。
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公开(公告)号:CN100570738C
公开(公告)日:2009-12-16
申请号:CN200610071011.4
申请日:2006-03-30
Applicant: 尔必达存储器株式会社 , 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C8/12 , G11C5/02 , G11C5/04 , G11C11/4074 , G11C11/4096 , H01L24/50
Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101),所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS),并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113),每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路,其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上,能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。
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