公开(公告)号：CN100570738C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200610071011.4

申请日：2006-03-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 关口知纪 ,  大坂英树 ,  井户立身 ,  永岛靖 ,  片桐光昭 ,  安生一郎

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  H01L24/50

Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。

公开(公告)号：CN1841551A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071011.4

申请日：2006-03-30

Applicant: 尔必达存储器株式会社 ,  株式会社日立制作所

Inventor： 关口知纪 ,  大坂英树 ,  井户立身 ,  永岛靖 ,  片桐光昭 ,  安生一郎

IPC: G11C5/00 ,  G11C5/06

CPC classification number: G11C8/12 ,  G11C5/02 ,  G11C5/04 ,  G11C11/4074 ,  G11C11/4096 ,  H01L24/50

Abstract: 一种半导体存储器使用基础基片(101)，所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS)，并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113)，每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路，其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上，能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。

公开(公告)号：CN1258079A

公开(公告)日：2000-06-28

申请号：CN99126508.4

申请日：1999-12-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本达哉 ,  永岛靖 ,  竹村理一郎

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091

Abstract: 开关MOSFET插入在读出放大器与互补位线之间:在信号电压被字线从多个被选定的动态存储器单元读出到多对互补位线之后,开关MOSFET的开关控制信号从选择电平被改变到预定的中间电位,由于读出节点根据读出放大器的放大操作而被开通。由放大操作产生的放大信号,响应于列选择信号,通过列选择电路,被传输至输入/输出线,且开关控制信号响应于列选择电路的选择操作而从中间电位电平返回到选择电平。

公开(公告)号：CN1200431C

公开(公告)日：2005-05-04

申请号：CN99126508.4

申请日：1999-12-22

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 坂本达哉 ,  永岛靖 ,  竹村理一郎

IPC: G11C11/34 ,  H01L27/10

CPC classification number: G11C11/4097 ,  G11C7/06 ,  G11C7/18 ,  G11C11/4091

Abstract: 开关MOSFET插入在读出放大器与互补位线之间：在信号电压被字线从多个被选定的动态存储器单元读出到多对互补位线之后，开关MOSFET的开关控制信号从选择电平被改变到预定的中间电位，由于读出节点根据读出放大器的放大操作而被开通。由放大操作产生的放大信号，响应于列选择信号，通过列选择电路，被传输到输入/输出线，且开关控制信号响应于列选择电路的选择操作而从中间电位电平返回到选择电平。