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公开(公告)号：CN103081127B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN103081127A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042753.3
申请日：2011-02-09
Applicant: 株式会社岛津制作所 , 独立行政法人国立高等专门学校机构
IPC: H01L31/09 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146
CPC classification number: H01L21/02573 , H01L21/02562 , H01L21/0262 , H01L27/14659 , H01L27/14692 , H01L27/14696 , H01L31/02966 , H01L31/115 , H01L31/1832 , Y02E10/50
Abstract: 即使在通过蒸镀或升华来形成由多晶膜或多晶的层叠膜构成的检测层的第一过程的中途不能再供给Cl(氯)，也会在第一过程的开始或过程的中途供给与源S不同的附加源(例如HCl等含有Cl的气体)。可以从成膜初期直至结束时为止，对为CdTe(碲化镉)、ZnTe(碲化锌)或CdZnTe(碲锌镉)的多晶或多晶的层叠膜的检测层在厚度方向上均匀地掺杂Cl。其结果，可以使晶粒均匀化并且使检测特性均匀化。
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公开(公告)号：CN102859691B
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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公开(公告)号：CN111343921A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880073065.5
申请日：2018-11-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00 , G01N23/041
Abstract: 本发明的X射线摄影装置(100)构成为，图像处理部(50a)基于在相对于被摄物(T)的多个相对位置而在第一检测区域(R1)中获取的多个第一图像(71a)来生成相位对比度图像(71)，并且基于在相对于被摄物的多个相对位置而在第二检测区域(R2)中获取的多个第二图像(72a)来生成吸收像(72)。
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公开(公告)号：CN103443653B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103443653A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014189.9
申请日：2012-03-19
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01T1/24 , H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/09
Abstract: 在腔室(31)内收纳石墨基板(11)并通过泵(P)进行真空抽吸。接着，通过在真空中加热炭使炭中的杂质蒸发从而将炭进行纯化。通过将石墨基板(11)的炭进行纯化，能够将石墨基板(11)的炭所含有的半导体层的施主/受主元素、以及金属元素的杂质抑制到0.1ppm以下。其结果，能够抑制漏电流、异常漏点的产生、抑制半导体层中的晶体的异常生长。
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公开(公告)号：CN102859691A
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201180017676.6
申请日：2011-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: H01L27/14 , G01T1/24 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/0236 , H01L27/14636 , Y02E10/50
Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。
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公开(公告)号：CN111343921B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN201880073065.5
申请日：2018-11-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: A61B6/00 , G01N23/041
Abstract: 本发明的X射线摄影装置(100)构成为，图像处理部(50a)基于在相对于被摄物(T)的多个相对位置而在第一检测区域(R1)中获取的多个第一图像(71a)来生成相位对比度图像(71)，并且基于在相对于被摄物的多个相对位置而在第二检测区域(R2)中获取的多个第二图像(72a)来生成吸收像(72)。
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公开(公告)号：CN111133302B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201880062049.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/2209
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源，对试样表面的规定照射区域照射用于使特征X射线产生的激发射线；分光晶体，面向照射区域而设置，由平板构成；狭缝，设置于照射区域和分光晶体之间，平行于照射区域及分光晶体的规定的晶面；X射线线性传感器，设置为在平行于狭缝的方向上具有长边的线状的检测元件沿垂直于狭缝的方向排列；能量校准部，通过从激发源对因照射所述激发射线而生成能量已知的2个特征X射线的标准试样的表面照射该激发射线从而测量该2个特征X射线，并基于该测量的2个特征X射线的能量，校准由X射线线性传感器的各个检测元件检测的特征X射线的能量。能够更高精度地求出从测量对象试样发射的特征X射线的能量。
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公开(公告)号：CN111133302A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880062049.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/2209
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源，对试样表面的规定照射区域照射用于使特征X射线产生的激发射线；分光晶体，面向照射区域而设置，由平板构成；狭缝，设置于照射区域和分光晶体之间，平行于照射区域及分光晶体的规定的晶面；X射线线性传感器，设置为在平行于狭缝的方向上具有长边的线状的检测元件沿垂直于狭缝的方向排列；能量校准部，通过从激发源对因照射所述激发射线而生成能量已知的2个特征X射线的标准试样的表面照射该激发射线从而测量该2个特征X射线，并基于该测量的2个特征X射线的能量，校准由X射线线性传感器的各个检测元件检测的特征X射线的能量。能够更高精度地求出从测量对象试样发射的特征X射线的能量。
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