公开(公告)号：CN102859691B

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201180017676.6

申请日：2011-02-21

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 吉牟田利典 ,  徳田敏 ,  田边晃― ,  岸原弘之 ,  贝野正知 ,  吉松圣菜 ,  佐藤敏幸 ,  桑原章二

IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0236 ,  H01L27/14636 ,  Y02E10/50

Abstract: 通过将石墨基板(11)的表面的凹凸设为1μm~8μm的范围，能够使层叠形成在石墨基板(11)上的半导体层(13)的膜质稳定，提高石墨基板(11)与半导体层(13)的密合性。即使在电子阻挡层(12)介于石墨基板(11)与半导体层(13)之间的情况下，由于电子阻挡层(12)薄，石墨基板(11)的表面的凹凸被转印到电子阻挡层(12)，因此电子阻挡层(12)的表面的凹凸也大致成为该范围，起到与将半导体层(13)直接接触石墨基板(11)而形成的结构大致相同的效果。