-
公开(公告)号：CN113155876A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110373638.X
申请日：2016-12-08
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/207
Abstract: 本发明涉及一种元素分析方法。所述方法包括：利用激发束来照射预定照射区域以生成特征X射线；使特征X射线部分地经过狭缝；使通过所述狭缝的X射线进入平板状分光晶体以基于布拉格反射定律而选择性地被反射；检测X射线的强度来获得波长谱；以及基于波长谱中的峰的能量来识别试样中的元素和/或基于峰的强度来确定所述元素的量。
-
公开(公告)号：CN111656171A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201880087778.7
申请日：2018-02-21
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/203
Abstract: 化学状态分析装置(10)具备：激发源(11)，其向包含电池材料的试样(S)中的规定面内的照射区域(A)照射用于使该电池材料产生特征X射线的激发射线；分光晶体(13)，其由面向照射区域(A)设置的平板构成；狭缝(12)，其设置于照射区域(A)与分光晶体(13)之间，且与照射区域(A)及分光晶体(13)的规定的晶面平行；X射线线性传感器(15)，其是在平行于该狭缝的方向上具有长度的线状的检测元件(151)以沿垂直于狭缝(12)的方向排列的方式设置而成的；波长谱制作部(161)，其基于X射线线性传感器(15)检测出的特征X射线的强度来制作波长谱；峰值波长决定部(162)，其求出峰值波长，该峰值波长是所述波长谱的峰值处的波长；以及化学状态确定部(163)，其根据由峰值波长决定部(162)求出的峰值波长、以及标准曲线来求出用于确定试样(S)中的电池材料的化学状态的值，该标准曲线表示峰值波长与代表试样S中的电池材料的化学状态的值之间的关系。
-
公开(公告)号：CN102549454A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200980161770.1
申请日：2009-10-05
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14618 , H01L27/14658 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种放射线检测器(1)，该放射线检测器(1)沿共用电极(5)的外缘部在高电阻膜(7)的上表面上具有阻挡层(27)，从而能够防止无定形半导体层(9)与固化性合成树脂(29)的化学反应。另外，阻挡层(27)与固化性合成树脂膜(29)间具有粘合性，从而能够防止由温度变化导致在阻挡层(27)与固化性合成树脂膜(29)间的界面处发生剥离等而使强度不充分、从而降低抑制翘曲、龟裂的效果。另外，由于阻挡层(27)的材料是不含有与无定形半导体层(9)发生化学反应的物质的绝缘材料，因此能够防止阻挡层(27)的材料的含有成分与半导体层的化学反应。由此，能够防止电场集中的共用电极(5)外缘部的沿面放电。
-
公开(公告)号：CN1595200A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN200410077119.5
申请日：2004-09-10
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: H01L27/14678 , H01L27/14658
Abstract: 本发明的放射线检测器具有位于放射线感应半导体的前表面上放射线检测有效区域外侧位置的电绝缘缓冲器座。用于施加偏置电压的公共电极覆盖缓冲器座。用于提供偏置电压的导线与该公共电极表面上位于缓冲器座上的导线连接区域连接。缓冲器座减小当导线与公共电极连接时产生的冲击。这样，就可以保护半导体和中间层免受损坏，从而避免性能降低。该缓冲器座位于放射线检测有效区域以外。因此，该缓冲器座不会削弱放射线检测功能。
-
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111133302B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN201880062049.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/2209
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源，对试样表面的规定照射区域照射用于使特征X射线产生的激发射线；分光晶体，面向照射区域而设置，由平板构成；狭缝，设置于照射区域和分光晶体之间，平行于照射区域及分光晶体的规定的晶面；X射线线性传感器，设置为在平行于狭缝的方向上具有长边的线状的检测元件沿垂直于狭缝的方向排列；能量校准部，通过从激发源对因照射所述激发射线而生成能量已知的2个特征X射线的标准试样的表面照射该激发射线从而测量该2个特征X射线，并基于该测量的2个特征X射线的能量，校准由X射线线性传感器的各个检测元件检测的特征X射线的能量。能够更高精度地求出从测量对象试样发射的特征X射线的能量。
-
公开(公告)号：CN111133302A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201880062049.6
申请日：2018-07-25
Applicant: 株式会社岛津制作所
IPC: G01N23/2209
Abstract: 一种X射线分光分析装置，具备：激发源，对试样表面的规定照射区域照射用于使特征X射线产生的激发射线；分光晶体，面向照射区域而设置，由平板构成；狭缝，设置于照射区域和分光晶体之间，平行于照射区域及分光晶体的规定的晶面；X射线线性传感器，设置为在平行于狭缝的方向上具有长边的线状的检测元件沿垂直于狭缝的方向排列；能量校准部，通过从激发源对因照射所述激发射线而生成能量已知的2个特征X射线的标准试样的表面照射该激发射线从而测量该2个特征X射线，并基于该测量的2个特征X射线的能量，校准由X射线线性传感器的各个检测元件检测的特征X射线的能量。能够更高精度地求出从测量对象试样发射的特征X射线的能量。
-
公开(公告)号：CN101971338B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200980108407.3
申请日：2009-04-07
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L31/0203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种辐射检测器，在辐射线感应型的半导体层、载流子选择性的高阻抗膜及共用电极的露出面上与硬化性合成树脂膜之间具有绝缘的非胺系的壁垒层。能够由该壁垒层进一步抑制半导体层和硬化性合成树脂膜的化学反应，能够防止流经半导体层的暗电流的增加。另外，由于壁垒层和半导体层不发生化学反应，所以也不会使半导体层劣化。另外，通过在硬化性合成树脂膜的上表面设有辅助板，从而能够制造不产生因温度变化引起的翘曲和龟裂的辐射检测器。
-
公开(公告)号：CN1284976C
公开(公告)日：2006-11-15
申请号：CN200410031997.3
申请日：2004-03-31
Applicant: 株式会社岛津制作所
CPC classification number: G01T1/244 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14676 , H01L2924/0002 , H04N5/32 , H01L2924/00
Abstract: 一种放射线图像拾取设备，与匣表面罩部件对应的部分是使用不导电材料而形成的。构造是使用绝缘物质、绝缘板构件和绝缘堰构件而塑模的，以覆盖活性矩阵衬底上的整个放射线敏感半导体和电压施加电极。从匣的外框至电压施加电极的边缘的区域由屏蔽构件来屏蔽，以从绝缘板构件上方覆盖除电压施加电极正上方的部件以外的其他任何区域。
-
公开(公告)号：CN1281973C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200410028331.2
申请日：2004-03-01
Applicant: 株式会社岛津制作所
Inventor： 佐藤贤治
CPC classification number: G01T1/2928 , A61B6/583
Abstract: 一发光机构为FPD中的半导体层和射线敏感型中间层的双头电极形成面提供光，不会发生有效敏感区域的变化，从而防止了FPD的探测灵敏度的波动。当放射线停止照射之后如果光源仍然保持，就可以防止残余输出的产生。更进一步地，一光强度控制部分控制光源部分，使得根据电信号处理电路增益设定值的减小或增加而增加或减小光源部分产生的光强度，同时缩小动态范围的暗电流分量不再大范围占有电信号处理电路的输出范围，所以动态范围也不会被大范围地缩小。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
48
records
(took 0.033 seconds)
