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公开(公告)号：CN116210090A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202180053454.3
申请日：2021-08-25
IPC: H01L33/08
Abstract: 半导体发光元件(10)具备生长基板(11)、形成在生长基板(11)上的掩模(13)、从设置在掩模的开口部生长的柱状半导体层。柱状半导体层在中心形成有n型纳米线层(14)，在比n型纳米线层(14)更靠外周形成有有源层(15)，在比有源层(15)更靠外周形成有p型半导体层(16)。开口部的开口率为0.1％以上5.0％以下，发光波长为480nm以上。
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公开(公告)号：CN117441225A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040757.6
申请日：2022-05-31
IPC: H01L21/203 , H01L33/16 , H01L29/812 , H01L29/808 , H01L29/778 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L21/20 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 本发明提供促进GaN层的高品质晶体生长的层叠体及层叠体的制造方法。层叠体具有非晶质玻璃基板和形成于非晶质玻璃基板之上的AlN层，AlN层在非晶质玻璃基板上沿c轴取向，非晶质玻璃基板的玻璃化转变温度(Tg)为720℃以上810℃以下，非晶质玻璃基板的热膨胀系数(CTE)为3.5×10‑6[1/K]以上4.0×10‑6[1/K]以下，非晶质玻璃基板的软化点为950℃以上1050℃以下。
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公开(公告)号：CN109768139B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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公开(公告)号：CN119153600A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410768547.X
申请日：2024-06-14
Abstract: 本发明提供能够提高轴上强度的发光装置。发光装置具有：倒装芯片型的紫外发光的发光元件，接触并覆盖发光元件的至少上表面、折射率比空气高且比发光元件低的密封部，以及接触并覆盖密封部、折射率比密封部高的透镜。发光元件的组成梯度层的厚度被设定成：使从活性层射向n型层侧的光跟从活性层射向与n型层相反的一侧后被p侧电极反射而射向n型层侧的光通过干涉而在与发光元件的主面垂直的方向加强。
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公开(公告)号：CN119013858A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202380032790.9
申请日：2023-03-09
IPC: H01S5/343 , H01L21/205 , H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/183
Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件以及品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法。氮化物半导体发光元件(1)具有：n‑AlInN层(12)，成分中含有Al以及In；GaN帽层(13)，层叠于n‑AlInN层(12)的表面，成分中含有Ga；以及n‑AlGaN成分渐变层(14)，层叠于GaN帽层(13)的表面，成分中含有Al以及Ga；在GaN帽层(13)的表面层叠的n‑AlGaN成分渐变层(14)的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823305A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210025807.5
申请日：2022-01-11
IPC: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供在不会使发光元件的输出降低的情况下可以从由氮化物半导体构成的p型层提取氢的发光元件的制造方法、以及发光元件的氢的提取方法，即使在p型层由高Al组成的氮化物半导体构成的情况下，仍能够有效地提取氢。作为本发明的一个方式，提供发光元件1的制造方法，包括以下工序：针对发光波长为306nm以下的发光元件1，在施加反向电压或是比发光元件1的阈值电压低的正向电压的状态下、或不施加电压的状态下，从外侧照射波长为306nm以下的紫外光，实施热处理，将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序；在650℃以上的N2气氛下或500℃以上的N2+O2气氛下实施将p型层中的氢提取到发光元件1之外的工序。
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公开(公告)号：CN109768139A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317180.0
申请日：2018-11-07
Abstract: 提供了这样的III族氮化物半导体发光器件及其制造方法：所述III族氮化物半导体发光器件表现出提高的光提取效率，并且降低由Al的组成变化所引起的在AlGaN层中出现p型导电部和n型导电部的极化的影响。第一p型接触层是p型AlGaN层。第二p型接触层是p型AlGaN层。第一p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成随距发光层的距离而减小。第二p型接触层中的Al的组成低于第一p型接触层中的Al的组成。第二p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率高于第一p型接触层中相对单位厚度的Al的组成变化率。
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公开(公告)号：CN105103392B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480020256.7
申请日：2014-03-19
Applicant: 学校法人名城大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/18361 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中，第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高，在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105)，并且在第一半导体层(104)的氮表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103)，相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续，第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm‑3以上。
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公开(公告)号：CN119816011A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411410939.5
申请日：2024-10-10
Abstract: 本发明提供能够形成晶体质量良好的III族氮化物半导体的III族氮化物半导体的制造方法。III族氮化物半导体的制造方法具有：氨处理工序，向由蓝宝石构成的基板10的表面供给包含氨的气体；热清洁工序，在氨处理工序之后，在以氢为主的气氛中对基板10的表面进行热处理；氮化处理工序，在热清洁工序之后，向基板10的表面供给包含氨的气体，对基板的表面进行氮化；以及晶核层形成工序，在氮化处理工序之后，在基板上生成GaN、AlGaN或AlN的核11A而形成晶核层11。
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公开(公告)号：CN105103392A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201480020256.7
申请日：2014-03-19
Applicant: 学校法人名城大学
CPC classification number: H01L33/10 , H01L33/32 , H01S5/18361 , H01S5/34333
Abstract: 本发明实现了氮化物半导体多层膜反射镜的低电阻化。在氮化物半导体多层膜反射镜中，第一半导体层(104)的Al成分与第二半导体层(106)的Al成分相比而较高，在第一半导体层(104)与第二半导体层(106)之间并在第一半导体层(104)的111族元素表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第一成分倾斜层(105)，并且在第一半导体层(104)的氮表面侧，存在有以Al成分随着靠近第二半导体层(106)而降低的方式被调节的第二成分倾斜层(103)，相对于第一半导体层(104)、第二半导体层(106)、第一成分倾斜层(105)以及第二成分倾斜层(103)的传导带下端的电子的能级不存在水平断错而为连续，第一成分倾斜层(105)中的n型杂质浓度为5×1019cm-3以上。
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