公开(公告)号：CN119013858A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380032790.9

申请日：2023-03-09

Applicant: 学校法人名城大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 竹内哲也 ,  小林宪汰 ,  柴田夏奈 ,  岩谷素显 ,  上山智 ,  仓本大

IPC: H01S5/343 ,  H01L21/205 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183

Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件以及品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法。氮化物半导体发光元件(1)具有：n‑AlInN层(12)，成分中含有Al以及In；GaN帽层(13)，层叠于n‑AlInN层(12)的表面，成分中含有Ga；以及n‑AlGaN成分渐变层(14)，层叠于GaN帽层(13)的表面，成分中含有Al以及Ga；在GaN帽层(13)的表面层叠的n‑AlGaN成分渐变层(14)的界面处的AlN的摩尔分数为0.36以上且0.44以下。

公开(公告)号：CN118715680A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022100.1

申请日：2023-03-09

Applicant: 学校法人名城大学 ,  斯坦雷电气株式会社

Inventor： 竹内哲也 ,  柴田夏奈 ,  岩谷素显 ,  上山智 ,  仓本大

IPC: H01S5/343 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C30B25/02 ,  C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L33/10 ,  H01L33/32 ,  H01S5/183

Abstract: 提供一种品质良好的氮化物半导体发光元件的制造方法以及品质良好的氮化物半导体发光元件。一种氮化物半导体发光元件的制造方法，使用了金属有机化合物气相生长法，具有：第一层层叠工序，结晶生长出组分中包含Al以及In的n‑AlInN层(12)，帽层层叠工序，在执行第一层层叠工序后，在n‑AlInN层(12)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN帽层(13)，以及第二层层叠工序，在执行帽层层叠工序后，在GaN帽层(13)的表面结晶生长出组分中包含Ga的GaN层(14)。该氮化物半导体发光元件的制造方法中，在执行帽层层叠工序后且执行第二层层叠工序前，还具有氢清洗工序，在氢清洗工序中，停止向反应炉内供给原料气体，且向反应炉内供给氢气，至少对GaN帽层(13)的表面进行清洗。