公开(公告)号：CN1293647C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN1412859A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8－78329A中公开的技术上添加新颖的改进，提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作活性层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN100524817C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8-78329A中公开的技术上添加新颖的改进，本发明提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作有源层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN1395319A

公开(公告)日：2003-02-05

申请号：CN02124493.6

申请日：2002-06-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 牧田直树 ,  仲泽美佐子 ,  大沼英人 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/00 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78621

Abstract: 解决了有关源/漏吸杂方法中的n沟道TFT的现有技术中的问题。在n沟道TFT中，其源/漏区仅仅含有n型杂质。因此，比之其源/漏区含有n型杂质和浓度更高的p型杂质的p沟道TFT，n沟道晶体管沟道区中的吸杂效率更低。因此，借助于在其源/漏区末端处提供含有n型杂质和p型杂质二者且p型杂质的浓度设置为高于n型杂质的浓度的高效吸杂区，能够解决n沟道TFT中吸杂效率差的问题。

公开(公告)号：CN103794511B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310526469.4

申请日：2013-10-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  保坂泰靖 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/3262

Abstract: 本公开涉及显示装置以及电子设备,本发明的目的之是抑制晶体管的电特性的变动并提高可靠性。本发明的个方式的显示装置包括:像素部104;以及设置在所述像素部的外侧的驱动电路部106,其中所述像素部包括:像素晶体管252;覆盖所述像素晶体管的包括无机材料的第绝缘膜124;设置在所述第绝缘膜上且包括有机材料的第二绝缘膜126;以及设置在所述第二绝缘膜上且包括无机材料的第三绝缘膜130,所述驱动电路部包括:对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管250;覆盖所述驱动晶体管的所述第绝缘膜;以及形成在所述第绝缘膜上的所述第二绝缘膜,并且,所述驱动电路部包括在所述第二绝缘膜上没有形成所述第三绝缘膜的区域或所述第二绝缘膜不被所述第三绝缘膜覆盖的区域。

公开(公告)号：CN100508122C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上；进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN1670915A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095406.9

申请日：2004-12-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 大沼英人 ,  坂仓真之 ,  三谷康弘 ,  松尾拓哉 ,  北角英人

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种具有抑制了空腔产生的结晶半导体膜的半导体器件及其制造方法。根据本发明的半导体器件的制造方法，包括如下步骤：在具有绝缘表面的衬底上形成非晶硅膜；将诸如Ni的用于促进该非晶硅膜结晶的金属元素添加到非晶硅膜上，进行热处理以使该非晶硅膜结晶，由此在该衬底上形成结晶硅膜；通过含有机溶剂和氟化物的溶液去除在该结晶硅膜的表面上由于热处理形成的氧化硅膜；以及将激光或强光照射到该结晶硅膜上。

公开(公告)号：CN104103668B

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201410144456.5

申请日：2014-04-11

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 肥塚纯一 ,  片山雅博 ,  岛行德 ,  冈崎健一 ,  松尾拓哉 ,  森重恭 ,  神崎庸辅 ,  松木园广志

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明的显示装置，包括：像素部（104）；以及设置在所述像素部（104）外侧的驱动电路部（106），其中，所述像素部包括像素晶体管、覆盖所述像素晶体管且包含无机材料的第一绝缘层（122）、设置在所述第一绝缘层上且包含有机材料的第二绝缘层（124）、设置在所述第二绝缘层上且包含无机材料的第三绝缘层（128），所述驱动电路部包括对所述像素晶体管供应信号的驱动晶体管、覆盖所述驱动晶体管的所述第一绝缘层，并且，在所述驱动电路部中没有形成所述第二绝缘层。从而在抑制晶体管的电特性变动的同时，提高其可靠性。

公开(公告)号：CN103545318A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/45 ,  H01L21/77 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。

公开(公告)号：CN103545318B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201310302897.9

申请日：2013-07-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普株式会社

Inventor： 山崎舜平 ,  坂本直哉 ,  佐藤贵洋 ,  越冈俊介 ,  长隆之 ,  山元良高 ,  松尾拓哉 ,  松木园广志 ,  神崎庸辅

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/201

Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。