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公开(公告)号：CN103545318B
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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公开(公告)号：CN102751194B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210116863.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/04 , H01L21/28008 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2 …(1)b＞0 …(2)。
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公开(公告)号：CN102456552A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110308492.7
申请日：2011-10-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/0245 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/28008 , H01L29/04 , H01L29/6675
Abstract: 本发明的目的是提供保持高膜密度的同时提高结晶性的微晶硅膜的制造方法。本发明的微晶硅膜的制造方法包括如下步骤：在第一条件下在绝缘膜上形成具有混合相微粒的微晶硅膜，在其上，在第二条件下形成第二微晶硅膜。第一条件和第二条件是如下条件：将包含硅的沉积气体和包含氢的气体用作第一原料气体和第二原料气体。作为第一条件的第一原料气体的供给，交替进行第一气体的供给以及第二气体的供给。
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公开(公告)号：CN102751194A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210116863.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/04 , H01L21/28008 , H01L29/66765 , H01L29/786 , H01L29/78648 , H01L29/78678 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，通过对含氮的栅极绝缘膜进行等离子体氧化处理，可以抑制薄膜晶体管特性的降低。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，其为具备薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，该薄膜晶体管具有栅电极(103)、含氮的栅极绝缘膜(105)及由微晶半导体膜(107)、(109)形成的沟道区，其特征在于，进行使所述栅极绝缘膜暴露于具有含有氧原子的氧化气体和氢的氧化气体气氛的等离子体中的等离子体处理，在所述栅极绝缘膜上形成所述微晶半导体膜，使所述氧化气体气氛中的所述氢的量为a，使所述氧化气体的量为b时，满足下述式(1)、(2)。a/b≥2…(1)b＞0…(2)。
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公开(公告)号：CN103545318A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310302897.9
申请日：2013-07-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/45 , H01L21/77 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/201
Abstract: 本发明的一个方式提供如下半导体装置：使用氧化物半导体膜，将含有铜的金属膜用于布线或信号线等，具有稳定的电特性且高可靠性。本发明的一个方式是一种半导体装置，该半导体装置包括：栅电极；形成在该栅电极上的栅极绝缘膜；与该栅极绝缘膜接触且包含与该栅电极重叠的沟道形成区域的氧化物半导体膜：形成在该氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在该氧化物半导体膜、该源电极以及该漏电极上的氧化物绝缘膜，该源电极及该漏电极都包括：在该沟道形成区域的两端具有其一个端部的第一金属膜；形成在该第一金属膜上的含有铜的第二金属膜；形成在该第二金属膜上的第三金属膜，该第二金属膜形成在该第一金属膜的一个端部的内侧。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1134036A
公开(公告)日：1996-10-23
申请号：CN95120071.2
申请日：1995-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/334 , C30B1/00
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括卤族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。
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公开(公告)号：CN1126154C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95120071.2
申请日：1995-11-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/334 , C30B1/00
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括囟族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。
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公开(公告)号：CN1114426A
公开(公告)日：1996-01-03
申请号：CN94113262.5
申请日：1994-12-20
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/133
CPC classification number: G02F1/1393 , G02F1/13363 , G02F1/1347 , G02F2203/62 , G02F2413/01 , G09G3/2011 , G09G3/3648 , G09G3/3655 , G09G2300/0852 , G09G2310/0235 , G09G2310/0251 , G09G2310/06 , G09G2310/061
Abstract: 一种液晶装置，包括：一对基衬；该对基衬中间的液晶层；至少一个偏振元件；多个像素；满足下列关系之一的液晶层之延迟(d×Δn)：d×Δn＞λ/2及2d×Δn＞λ/2；以及将驱动电压施加到多个像素上去的驱动电压输入装置，该驱动电压包括一个比像素的电压—输出光强度特性中输出光强度达到极值时所需的最大电压还要高的电压。
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公开(公告)号：CN104620395A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201380047351.1
申请日：2013-09-09
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L31/068 , H01L31/0747 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/075 , H01L31/0376 , H01L31/0682 , H01L31/0747 , H01L31/1804 , H01L31/20 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种光电转换元件和该光电转换元件的制造方法，包括设置在半导体基板的一个表面的整个面的i型非单晶膜，半导体基板和i型非单晶膜的界面是平坦的。
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公开(公告)号：CN102651327B
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201210044963.2
申请日：2012-02-24
Applicant: 芝浦机械电子株式会社 , 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板清洗装置、基板清洗方法、显示装置的制造装置及显示装置的制造方法，能够减少清洗工序数且能够防止污染粒子再次附着于基板。实施方式所涉及的基板清洗装置(1)具备：输送部(2)，输送基板(W)；以及供给喷嘴(3)，向被该输送部(2)输送的基板(W)的被清洗面(S)供给清洗液，该清洗液为，在能够除去氧化膜的液体中以溶解状态及微小气泡状态含有氧化性气体；该供给喷嘴(3)以到达被清洗面(S)上的微小气泡一边抑制大小变化一边移动至基板(W)的外缘的流速供给清洗液。
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