公开(公告)号：CN1412859A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8－78329A中公开的技术上添加新颖的改进，提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作活性层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。

公开(公告)号：CN100524817C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN02154721.1

申请日：2002-10-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  夏普公司

Inventor： 宫入秀和 ,  志贺爱之 ,  野村克己 ,  牧田直树 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/02686 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过在JP8-78329A中公开的技术上添加新颖的改进，本发明提供了在其中改善了具有晶体结构的半导体薄膜的薄膜特性的制造方法。另外，还提供了将半导体薄膜用作有源层并且具有像场效应迁移率这样的较高TFT特性的TFT和制造TFT的方法。将促进硅结晶的金属元素添加到具有非晶体结构并且在薄膜中具有小于5×1018/cm3的氧浓度的半导体薄膜中。然后加热处理具有非晶体结构的半导体薄膜，形成具有晶体结构的半导体薄膜。随后，除去在表面上的氧化膜。将氧导入具有晶体结构的半导体薄膜中，进行处理以便于在薄膜中的氧浓度是从5×1018/cm3到1×1021/cm3。在从半导体薄膜的表面上除去氧化膜以后，通过在惰性气体环境下或者真空中照射激光来平整半导体薄膜表面。