公开(公告)号：CN102460642A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080028163.0

申请日：2010-06-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 花冈一哉

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/306 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/02032

Abstract: 使用包含用作使半导体氧化的氧化剂的物质、溶解半导体的氧化物的物质、以及用作对于半导体的氧化及半导体的氧化物的溶解的减速剂的物质的混合溶液选择性地去除残留在分离之后的半导体衬底周围部的脆化层及半导体层。注意：沿通过利用离子注入装置注入由氢气体生成的H+离子而形成在半导体衬底的脆化层将半导体衬底和半导体膜分离。

公开(公告)号：CN105190902B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201480026295.8

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 花冈一哉

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24

Abstract: 提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第一布线。此外，氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第二布线。

公开(公告)号：CN104733512A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410800319.2

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/12

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN101872740A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010167278.X

申请日：2010-04-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 花冈一哉 ,  津屋英树 ,  永井雅晴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。

公开(公告)号：CN111799335A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010730732.1

申请日：2014-12-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 笹川慎也 ,  仓田求 ,  花冈一哉 ,  小林由幸 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L29/24 ,  H01L29/10

Abstract: 本发明提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：绝缘层；绝缘层上的半导体层；与半导体层电连接的源电极层及漏电极层；半导体层、源电极层以及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及隔着栅极绝缘膜与部分半导体层、部分源电极层以及部分漏电极层重叠的栅电极层，其中半导体层的沟道宽度方向上的截面为大致三角形或大致梯形，以使实效的沟道宽度短于截面为四边形的情况。

公开(公告)号：CN105190902A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480026295.8

申请日：2014-04-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 花冈一哉

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/522 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L27/124 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种具有即便进行微型化也能够较容易地制造且能够抑制起因于微型化的电特性下降的结构半导体装置以及其制造方法。在氧化物半导体层的顶面上形成源电极层及漏电极层。氧化物半导体层的侧面与源电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第一布线。此外，氧化物半导体层的侧面与漏电极层的侧面被设置于同一面上，并电连接于第二布线。

公开(公告)号：CN101872740B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201010167278.X

申请日：2010-04-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 花冈一哉 ,  津屋英树 ,  永井雅晴

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明涉及SOI衬底的制造方法，公开的发明的一个方式，包括：第一工序，即将离子照射到键合衬底来在键合衬底中形成脆化区域；第二工序，即隔着绝缘层贴合键合衬底和支撑衬底；第三工序，即在脆化区域中分离键合衬底来在支撑衬底上隔着绝缘层形成半导体层；以及第四工序，即对于在脆化区域中分离的键合衬底，在氩气氛中进行第一热处理，然后在氧和氮的混合气氛中进行第二热处理，以形成再生键合衬底，其中再次使用再生键合衬底作为第一工序中的键合衬底。