公开(公告)号：CN118382884A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082351.4

申请日：2022-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  中村太纪 ,  泽井宽美 ,  方堂凉太

IPC: G09F9/30 ,  H05B33/12 ,  H10K50/00 ,  H05B33/26 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种显示品质高的显示装置。在该显示装置中，伪像素部是无助于显示的区域，伪像素部在从平面看时以与像素部的外侧相邻的方式配置，像素部包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一像素电极及第二像素电极、第一像素电极上的第一层、第二像素电极上的第二层以及第一层及第二层上的公共电极，伪像素部包括第一绝缘层、第一绝缘层上的第一导电层及第二导电层、第一导电层上的第三层、第二导电层上的第四层以及第三层及第四层上的公共电极，第一绝缘层包括第一槽及第二槽，第一槽具有与第一像素电极重叠的第一区域及与第二像素电极重叠的第二区域，第二槽具有与第一导电层重叠的第三区域及与第二导电层重叠的第四区域。

公开(公告)号：CN110998863A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050205.7

申请日：2018-07-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 种村和幸 ,  镰田悦子 ,  泽井宽美 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108

Abstract: 提供一种阈值电压大的半导体装置。该半导体装置包括：配置在衬底上的第一导电体；配置在第一导电体上的第一绝缘体；以接触于第一绝缘体的顶面的方式配置的第一氧化物；以接触于第一氧化物的顶面的方式配置的第二绝缘体；配置在第二绝缘体上的第二氧化物；配置在第二氧化物上的第三绝缘体；以及配置在第三绝缘体上的第二导电体，其中，混合层形成在第一绝缘体与第一氧化物之间，混合层包含第一绝缘体所含的原子中的至少一个和第一氧化物所含的原子中的至少一个，并且，混合层具有负的固定电荷。

公开(公告)号：CN109791950A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060901.1

申请日：2017-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  泽井宽美 ,  木村肇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；源电极；漏电极；第一氧化物、源电极及漏电极上的第二氧化物；第二氧化物上的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。源电极与第一氧化物电连接。漏电极与第一氧化物电连接。第一氧化物及第二氧化物都包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn。第一氧化物及第二氧化物包含比元素M原子多的In原子。第一氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比和第二氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比相等或近似。

公开(公告)号：CN118402336A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202280083475.4

申请日：2022-12-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 柳泽悠一 ,  方堂凉太 ,  泽井宽美 ,  笹村康纪

IPC: H10K59/122 ,  G02B5/22 ,  G09F9/30 ,  H05B33/06 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14 ,  H05B33/22 ,  H10K59/124 ,  H10K59/131 ,  H10K59/38

Abstract: 提供一种清晰度高的显示装置。本发明的一个方式是一种包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层、第二绝缘层、第一着色层及第二着色层的显示装置，第一发光器件在第一绝缘层上依次包括第一像素电极、第一层及公共电极，第二发光器件在第一绝缘层上依次包括第二像素电极、第二层及公共电极，第一绝缘层包括具有与第一像素电极重叠的区域和与第二像素电极重叠的区域的槽，第二绝缘层与第一层的侧面、第二层的侧面及槽重叠，公共电极包括位于第二绝缘层上的部分，第一着色层与第一发光器件重叠，第二着色层与第二发光器件重叠并使与第一着色层不同颜色的光透过，第一层及第二层包含同一发光材料且彼此分开。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。

公开(公告)号：CN111587491A

公开(公告)日：2020-08-25

申请号：CN201880079059.0

申请日：2018-11-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  德丸亮 ,  竹内敏彦 ,  村川努 ,  永松翔 ,  森若智昭

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  C23C14/08 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/1156

Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。

公开(公告)号：CN118891737A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202380028618.6

申请日：2023-03-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 泽井宽美 ,  方堂凉太 ,  冈本佑树 ,  津田一树 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/417 ,  H10B12/00 ,  H10B41/70 ,  H10B99/00

Abstract: 提供一种能够微型化或高集成化的半导体装置。半导体装置包括金属氧化物、金属氧化物上的第一导电体及第二导电体、第一导电体及第二导电体上的第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体、在第一导电体与第二导电体之间且在金属氧化物上的第三绝缘体、第三绝缘体上的第三导电体、在第三导电体上且与第三导电体电连接的第四导电体、第四导电体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体以及具有与第四导电体重叠的区域的第五导电体。金属氧化物具有与第一导电体重叠且在第一方向上延伸的第一区域。在第一区域中，金属氧化物的端部与第一导电体的端部对齐。第一方向平行于第五导电体延伸的方向。

公开(公告)号：CN118872402A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202380027107.2

申请日：2023-03-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  远藤俊弥 ,  中野贤 ,  泽井宽美 ,  山崎舜平

IPC: H10B12/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H10B41/70

Abstract: 提供一种半导体装置，该半导体装置包括第一存储单元、第一存储单元上的第二存储单元、第一导电体及第一导电体上的第二导电体，第一存储单元及第二存储单元都包括晶体管、电容器及晶体管上的第一绝缘体，晶体管包括金属氧化物、金属氧化物上的第三导电体、第四导电体、第二绝缘体、第二绝缘体上的第五导电体、金属氧化物下的第三绝缘体及第三绝缘体下的第六导电体，电容器包括第七导电体、第七导电体上的第四绝缘体及第四绝缘体上的第八导电体。通过设置在第一绝缘体中的开口，第四导电体与第七导电体接触。第一导电体及第二导电体都包括与第三导电体接触的部分。第三导电体的一个侧端部与金属氧化物的一个侧端部大致对齐，第四导电体的一个侧端部与金属氧化物的另一个侧端部大致对齐。

公开(公告)号：CN117136632A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202280025742.2

申请日：2022-03-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 方堂凉太 ,  柳泽悠一 ,  泽井宽美

IPC: H05B33/22

Abstract: 提供一种显示质量高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻地配置的第二像素、第一绝缘层、第一绝缘层上的第二绝缘层以及第二绝缘层上的第三绝缘层，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极，第一绝缘层及第三绝缘层包含无机材料，第二绝缘层包含有机材料，第二绝缘层隔着第一绝缘层与第一EL层的侧面及第二EL层的侧面重叠，第二绝缘层隔着第三绝缘层与公共电极重叠，第三绝缘层在不与第二绝缘层重叠的区域与第一绝缘层接触。

公开(公告)号：CN113924657A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080041969.7

申请日：2020-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  泽井宽美 ,  驹形大树 ,  神保安弘 ,  奥野直树 ,  小松良宽 ,  安藤元晴 ,  森若智昭 ,  森谷幸司 ,  石川纯

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。