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公开(公告)号：CN111615743A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008975.X
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种通态电流大且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括第一绝缘体、第一绝缘体上的第二绝缘体及第一导电体、第二绝缘体上的第三绝缘体、第一导电体上、第二绝缘体上及第三绝缘体上的第四绝缘体、第四绝缘体上的第五绝缘体、第五绝缘体上的第一氧化物、第一氧化物上的第二氧化物、第二氧化物上的第二导电体及第三导电体、第二导电体上的第六绝缘体、第三导电体上的第七绝缘体、第二氧化物上的第三氧化物、第三氧化物上的第八绝缘体、位于第八绝缘体上且与第二氧化物重叠的第四导电体、位于第八绝缘体上且覆盖第四导电体的第九绝缘体以及第九绝缘体上的第十绝缘体，第二绝缘体与第一导电体的侧面接触，第十绝缘体与第四绝缘体接触。
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公开(公告)号：CN111587491A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201880079059.0
申请日：2018-11-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , C23C14/08 , C23C16/42 , H01L21/28 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156
Abstract: 提供一种通态电流大的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体上、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第三绝缘体上的第四绝缘体，其中第四绝缘体与第三导电体、第二绝缘体及第三氧化物的每一个的顶面接触。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101335188B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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公开(公告)号：CN101335188A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810127386.7
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/268 , H01L21/304
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明的目的在于提供一种SOI基板的制造方法，该SOI基板具备即使在使用玻璃基板等耐热温度低的基板时也可以满足实用的要求的单晶半导体层。另外，本发明的目的还在于提供使用了这种SOI基板的可靠性高的半导体装置。对从半导体基板分离且接合在具有绝缘表面的支撑基板上的半导体层照射电磁波，并且对受到电磁波照射的半导体层表面进行研磨处理。通过电磁波照射，可以使半导体层的至少部分区域熔化，使得半导体层中的结晶缺陷减少。而且，通过研磨处理研磨半导体层表面来实现平坦化。因此，通过电磁波照射和研磨处理，可以制造具有结晶缺陷减少且平坦性高的半导体层的SOI基板。
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公开(公告)号：CN111448669A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201880079057.1
申请日：2018-11-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/11551 , H01L27/1156 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792
Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。半导体装置包括导电体、与导电体的侧面接触的第一绝缘体、与导电体的顶面及第一绝缘体的顶面接触的第二绝缘体以及第二绝缘体上的氧化物，氧化物具有隔着第二绝缘体与导电体重叠的区域，导电体的顶面的粗糙度曲线的最大高度(Rz)为6.0nm以下，区域包含结晶，结晶的c轴取向于导电体的顶面的法线方向。
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公开(公告)号：CN102306629B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110254200.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/8238 , H01L21/77 , H01L51/40 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。
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公开(公告)号：CN102306629A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110254200.6
申请日：2008-06-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/8238 , H01L21/77 , H01L51/40 , H01L51/56
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L29/78654
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括以下工序：对半导体基板的一个表面照射离子，从而在离所述一个表面有一定深度的区域中形成脆化层；在所述一个表面上或支撑基板上形成绝缘层；将所述一个表面和所述支撑基板与所述绝缘层接合；加热所述半导体基板，以使所述脆化层中产生裂缝；在所述脆化层中分离所述半导体基板，从而在所述支撑基板上形成半导体层；对所述半导体层照射电磁波；在照射所述半导体层之后对所述半导体层表面进行研磨处理；使用所述半导体层形成半导体元件；在所述半导体元件上形成发光元件；以及在所述发光元件上形成彩色滤光片。
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