公开(公告)号：CN112292752A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201980037622.2

申请日：2019-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  掛端哲弥 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎

IPC: H01L21/365 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。通过如下工序在衬底上形成金属氧化物：对其内部设置有衬底的处理室引入第一前驱物的工序；第一前驱物的引入后引入第一氧化剂的工序；第一氧化剂的引入后引入第二前驱物的工序；以及第二前驱物的引入后引入第二氧化剂的工序。

公开(公告)号：CN116158204A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180052288.5

申请日：2021-08-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  手塚祐朗 ,  马场晴之 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎 ,  青木健

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供一种特性不均匀小的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，该半导体装置包括泄漏电流得到减少的电容器，该半导体装置的制造方法包括如下步骤：形成第一导电体；在第一导电体上形成第二绝缘体；在第二绝缘体上形成第三绝缘体；在第三绝缘体上形成第二导电体；以及在第二导电体及第三绝缘体上沉积第四绝缘体，其中，包含在第三绝缘体中的氢通过进行加热处理扩散并吸收到第二绝缘体，第一导电体为电容器的一个电极，第二导电体为电容器的另一个电极，并且，第二绝缘体及第三绝缘体为电容器的电介质。

公开(公告)号：CN116075923A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202180057428.8

申请日：2021-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  惠木勇司 ,  神保安弘 ,  樱田勇二郎

IPC: H01L21/31

Abstract: 提供一种膜厚度均匀性良好的金属氧化物。本发明的一个方式是一种在SIMS分析中氢浓度得到降低的金属氧化物的制造方法，包括：导入前驱物及载体吹扫气体的第一工序；停止导入前驱物并排出前驱物的第二工序；导入氧化性气体的第三工序；停止导入氧化性气体并排出氧化性气体的第四工序。第一工序至第四工序都在210℃以上且300℃以下的温度范围内进行。

公开(公告)号：CN115244713A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202180019725.3

申请日：2021-03-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小松良宽 ,  水上翔太 ,  川口忍 ,  泽井宽美 ,  山根靖正 ,  惠木勇司 ,  樱田勇二郎 ,  笹川慎也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/26 ,  H01L21/268 ,  H01L21/28 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/428 ,  H01L21/477 ,  H01L21/768 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括氧化物半导体膜、氧化物半导体膜上的源电极及漏电极、以覆盖氧化物半导体膜、源电极及漏电极的方式配置的层间绝缘膜、氧化物半导体膜上的第一栅极绝缘膜、第一栅极绝缘膜上的第二栅极绝缘膜以及第二栅极绝缘膜上的栅电极，层间绝缘膜中以与源电极和漏电极之间的区域重叠的方式形成有开口，第一栅极绝缘膜、第二栅极绝缘膜及栅电极配置在层间绝缘膜的开口中，第一栅极绝缘膜包含氧及铝，第一栅极绝缘膜具有厚度比第二栅极绝缘膜小的区域。