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公开(公告)号：CN101042481A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710087893.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/13357 , G09F9/35
Abstract: 本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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公开(公告)号：CN102878496A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201210393976.0
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: F21S8/00 , F21V29/02 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G02F1/1339 , G02F1/136 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133612 , G02F2001/133628
Abstract: 背光灯装置以及显示装置本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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公开(公告)号：CN100483783C
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200410076968.9
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5259
Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。
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公开(公告)号：CN113924657A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202080041969.7
申请日：2020-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 提供一种晶体管特性的不均匀小的半导体装置。该半导体装置包括半导体膜、半导体膜上的一对遮蔽膜、位于半导体膜上且设置在一对遮蔽膜间的绝缘膜，其中半导体膜包括一对n型区域、设置在一对n型区域间的i型区域，n型区域与遮蔽膜重叠，i型区域与绝缘膜重叠。
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公开(公告)号：CN1599528A
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN200410076968.9
申请日：2004-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L51/5246 , H01L51/5259
Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106154643A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610633324.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133612 , G02F2001/133628
Abstract: 本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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公开(公告)号：CN102878496B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210393976.0
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133612 , G02F2001/133628
Abstract: 背光灯装置以及显示装置本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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公开(公告)号：CN1959501A
公开(公告)日：2007-05-09
申请号：CN200610143350.9
申请日：2006-11-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1335 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/133528 , G02B5/3033 , G02B6/0051 , G02B6/0055 , G02B6/0056 , G02F1/1393
Abstract: 本发明的目的在于提供一种对比度被提高的显示器件。通过将堆叠的偏振片互相配置得成为正交尼科耳状态，可以提高显示器件的对比度。堆叠的偏振片以平行尼科耳的状态被重叠地设置在具有透光性的绝缘衬底的外面。当偏振片共计为四个或五个时，对比度成为最高值。
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公开(公告)号：CN101042481B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200710087893.8
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/13357 , G09F9/35
Abstract: 本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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公开(公告)号：CN102323689A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110173543.X
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/13357 , F21V7/22 , F21V5/08 , F21V23/04 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133603 , G02F2001/133612 , G02F2001/133628
Abstract: 本发明的目的是制造色彩和亮度的不均匀更少且可靠性高的背光灯装置、而且制造具备该背光灯装置的可靠性高且可以显示高图像质量的图像的高性能的显示装置。在本发明中作为背光灯装置的光源使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)，在保持发光二极管的框体中围绕发光二极管(热电元件提供在发光二极管的下侧以及其四周)地设有热电元件，并且通过热电元件的冷却以及加热来调节背光灯装置中的温度。
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