公开(公告)号：CN1421907A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152794.6

申请日：2002-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 棚田好文 ,  中岛和哉

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其特征是，提供了高速的运行和高可靠性，其中由CW激光结晶的半导体层用于TFT的有源层。当由CW激光结晶一个半导体层时，由于宽度方向上的能量密度分布，一部分形成大晶粒，而另一部分形成微型晶粒。前者展现了良好的电气特性。后者的电气特性很差，因为晶粒边界阻碍电荷的移动，由此当用作一个晶体管的有源层时会引起麻烦。因此，对电路进行设置，将大晶粒形成的半导体层用于每个TFT的有源层。

公开(公告)号：CN100373561C

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN02152794.6

申请日：2002-11-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 棚田好文 ,  中岛和哉

IPC: H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01S3/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02678 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，其特征是，提供了高速的运行和高可靠性，其中由CW激光结晶的半导体层用于TFT的有源层。当由CW激光结晶一个半导体层时，由于宽度方向上的能量密度分布，一部分形成大晶粒，而另一部分形成微型晶粒。前者展现了良好的电气特性。后者的电气特性很差，因为晶粒边界阻碍电荷的移动，由此当用作一个晶体管的有源层时会引起麻烦。因此，对电路进行设置，将大晶粒形成的半导体层用于每个TFT的有源层。