公开(公告)号：CN101093365A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710123038.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金圣培 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  郑世桓 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。

公开(公告)号：CN101051191A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN200710090332.3

申请日：2007-04-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 朴熙珍 ,  金圣培 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  辛成健 ,  郑世桓 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42 ,  B01D29/00

Abstract: 本发明涉及一种在通过过滤装置过滤流体之前除去流体中浮游物的显示装置制造系统。本发明的显示装置制造系统包括：工作腔室，在其内部利用工作流体去除显示面板上工作层中的多余部分；浮游物过滤单元，其接收由工作腔室所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层浮游物；过滤装置，其接收由浮游物过滤单元所排出的工作流体，并滤除工作流体中所含有的工作层成分；流体储存槽，其用于储存通过过滤装置滤除工作层成分后的工作流体。

公开(公告)号：CN101362033B

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN200810144922.4

申请日：2008-08-07

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金圣培 ,  李圣贤 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: B01D21/26

Abstract: 本发明涉及半导体或显示屏制造工艺的试液再循环方法和装置，其能够在工序进行中除去半导体或显示屏制造工艺的试液(特别是在清洗或剥离工序中的清洗液或剥离液)所含有的渣，能够实现连续运转和实时运转，通过调节离心加速度、停留时间等而具有能够容易地实现对工序上难除去的颗粒状微粒进行固液分离至所期望的粒度范围的效果。所述方法的特征在于，其包含如下阶段：由半导体或显示屏工艺设备向外部供给使用过的试液的阶段；对所述试液进行离心分离，分离成i)渣和ii)试液的离心分离阶段；将在离心分离阶段中在离心力的作用下被分离排出的试液收集，再供给到工艺设备中的再循环阶段；和将由离心分离阶段分离出的渣收集的阶段。

公开(公告)号：CN101093365B

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN200710123038.8

申请日：2007-06-22

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金圣培 ,  尹锡壹 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  朴熙珍 ,  辛成健 ,  郑世桓 ,  许铉 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除在电子电路或显示元件的布图(pattern)过程中所使用的抗蚀膜、且能够抑制对金属布线腐蚀的抗蚀膜(resist)剥离剂组合物，所述抗蚀膜剥离剂组合物优选包含：a)1至20wt％的二胺化合物(diamine compound)；和b)余量的乙二醇醚化合物(glycol ether compound)。本发明可进一步包含极性溶剂。本发明抗蚀膜剥离剂组合物，在进行去除光致抗蚀膜的工序过程中，将不会腐蚀金属布线，且具有优秀的剥离效果。