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公开(公告)号：CN101800146B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010155620.4
申请日：2007-12-27
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置、图像显示装置的制造方法和功能膜。该图像显示装置包括：具有电子发射器件的第一基板；具有与电子发射器件相对的阳极电极的第二基板，其中阳极电极由通过电阻彼此连接的多个金属背组成；和被设置在第二基板的第二面侧的导电层，该第二面是第二基板的第一面的相反面，该第一面位于第一基板侧。其中，导电层的电位被设为比显示图像时的阳极电极的电位低；并且导电层的表面电阻比阳极电极的表面电阻高。
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公开(公告)号：CN101211739B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710160851.2
申请日：2007-12-27
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置、图像显示装置的制造方法和功能膜，该图像显示装置包括：具有电子发射器件的第一基板；具有与电子发射器件相对的阳极电极的第二基板；和被设置在第二基板的第二面侧的导电层，该第二面是第二基板的第一面的相对面，该第一面位于第一基板侧，其中，导电层的电位被设为比显示图像时的阳极电极的电位低；并且导电层的表面电阻比阳极电极的表面电阻高。
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公开(公告)号：CN101800146A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010155620.4
申请日：2007-12-27
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置、图像显示装置的制造方法和功能膜。该图像显示装置包括：具有电子发射器件的第一基板；具有与电子发射器件相对的阳极电极的第二基板，其中阳极电极由通过电阻彼此连接的多个金属背组成；和被设置在第二基板的第二面侧的导电层，该第二面是第二基板的第一面的相反面，该第一面位于第一基板侧。其中，导电层的电位被设为比显示图像时的阳极电极的电位低；并且导电层的表面电阻比阳极电极的表面电阻高。
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公开(公告)号：CN101211739A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200710160851.2
申请日：2007-12-27
Abstract: 本发明提供一种图像显示装置、图像显示装置的制造方法和功能膜，该图像显示装置包括：具有电子发射器件的第一基板；具有与电子发射器件相对的阳极电极的第二基板；和被设置在第二基板的第二面侧的导电层，该第二面是第二基板的第一面的相对面，该第一面位于第一基板侧，其中，导电层的电位被设为比显示图像时的阳极电极的电位低；并且导电层的表面电阻比阳极电极的表面电阻高。
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公开(公告)号：CN1570771A
公开(公告)日：2005-01-26
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂13和具有铬膜22的光掩模20靠近来对上述上层抗蚀剂13进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部23的上述铬膜22通过纯水膜15与上述上层抗蚀剂13靠近，利用近场光K在与上述开口部23相对应的位置上对上述上层抗蚀剂13进行曝光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1325997C
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200410055265.8
申请日：2004-02-03
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: B82Y10/00 , G03F7/2041 , G03F7/70325 , G03F7/70341 , G03F7/7035 , H01L21/0274 , Y10S438/942
Abstract: 提供一种曝光方法，实现了不会损伤光掩模和抗蚀剂层并对光源的波长没有限制的微细曝光。在使上层抗蚀剂(13)和具有铬膜(22)的光掩模(20)靠近来对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光的曝光方法中，具有尺寸小于来自光源振荡的光的波长的开口部(23)的上述铬膜(22)通过纯水膜(15)与上述上层抗蚀剂(13)靠近，利用近场光(K)在与上述开口部(23)相对应的位置上对上述上层抗蚀剂(13)进行曝光。
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公开(公告)号：CN1763983A
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN112530465A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010025987.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 本发明的实施方式提供能够提高数据品质的磁盘装置以及写处理方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：盘；头，其具有主磁极、相对于所述主磁极在第1方向上空开间隙相对向的写屏蔽件、设置在所述间隙的第1辅助元件、以及在所述间隙中相对于所述第1辅助元件在与所述第1方向交叉的第2方向上排列设置第2辅助元件；以及控制器，其使得从所述第1辅助元件和所述第2辅助元件对所述盘产生不同的对所述盘的顽磁力给予影响的辅助能量。
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公开(公告)号：CN1763983B
公开(公告)日：2010-04-21
申请号：CN200510106305.1
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明的发光元件在表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。
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公开(公告)号：CN100403555C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN02160828.8
申请日：2002-12-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/22 , H01L21/0271
Abstract: 本发明在发光元件等的表面上形成纳米尺寸大小的凸凹结构，由此改善了发光效率特性。本发明发光元件表面的凸凹结构具有如下所示的形状，由整体形成的折射率呈平滑的变化。即(1)凸凹结构的平均直径比光波长小。(2)凸凹间距呈不规则变化。(3)由于折射率是平滑倾斜的，凸凹结构的高度和底面位置具有光波长以下平均值的大小。由此，可以使发光元件等实现较高的发光效率特性。这种发光元件表面是通过以下方式形成的：采用一种树脂组合物在发光元件表面上形成薄膜，该树脂组合物含有嵌段共聚物或者接枝共聚物并且通过自组织形成微相分离结构，然后将在表面上形成的该薄膜的微相分离结构中的至少一个相选择性地除去，采用该剩余相作为腐蚀掩模对该发光元件的表面进行腐蚀。
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