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公开(公告)号：CN111725316A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201911391056.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。
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公开(公告)号：CN111725316B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201911391056.3
申请日：2019-12-30
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。
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公开(公告)号：CN112786589B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202010823232.2
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02 , H01L21/8234
Abstract: 实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。
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公开(公告)号：CN116799000A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210966054.8
申请日：2022-08-12
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1导电型的半导体基板；第1导电型的半导体层，设置在所述半导体基板上，包括第1器件部分；第2导电型的埋入层，设置于所述半导体基板与所述第1器件部分之间；第2导电型的保护区域，下端与所述埋入层相接，上端到达所述半导体层的上表面，配置于所述第1器件部分的第1方向侧，没有配置于与所述第1方向相反的第2方向侧；及第2导电型的第1半导体区域，设置于所述第1器件部分内。
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公开(公告)号：CN112786589A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202010823232.2
申请日：2020-08-17
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/02 , H01L21/8234
Abstract: 实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。
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