公开(公告)号：CN110911488A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910018501.5

申请日：2019-01-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下茉莉子 ,  木下朋子 ,  高桥启太 ,  小松香奈子

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。

公开(公告)号：CN111725316B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201911391056.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 木下朋子 ,  篠原大辅 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  S·S·普拉巴卡兰

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。

公开(公告)号：CN111725316A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911391056.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 木下朋子 ,  篠原大辅 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  S·S·普拉巴卡兰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。