公开(公告)号：CN111725316B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201911391056.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 木下朋子 ,  篠原大辅 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  S·S·普拉巴卡兰

IPC: H10D30/66 ,  H10D30/01

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。

公开(公告)号：CN111725316A

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201911391056.3

申请日：2019-12-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 木下朋子 ,  篠原大辅 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  S·S·普拉巴卡兰

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 实施方式涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备：半导体部分；第1绝缘膜，设置在上述半导体部分上；第2绝缘膜，设置在上述半导体部分上，与上述第1绝缘膜接触，比上述第1绝缘膜厚，形成有贯通孔；第1接触件，下端连接于上述半导体部分；第2接触件，下部配置在上述贯通孔内，下端连接于上述半导体部分；以及栅极电极，位于上述第1接触件与上述第2接触件之间，设置在上述第1绝缘膜上以及设置在上述第2绝缘膜中的除了上述贯通孔以外的部分上。