公开(公告)号：CN110911488A

公开(公告)日：2020-03-24

申请号：CN201910018501.5

申请日：2019-01-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下茉莉子 ,  木下朋子 ,  高桥启太 ,  小松香奈子

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的半导体部分；绝缘性部分，设于所述半导体部分的上层部分，划分有源区；第二导电型的源极区域以及漏极区域，设于所述有源区内，并沿与所述半导体部分的上表面平行的第一方向相互分离；以及设于所述半导体部分的上方的栅极电极。所述栅极电极配置于所述源极区域与所述漏极区域之间的区域的正上方区域以及所述有源区的与所述第一方向正交的第二方向上的端部的正上方区域。

公开(公告)号：CN112786589B

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202010823232.2

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下茉莉子 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  篠原大辅

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。

公开(公告)号：CN112786589A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202010823232.2

申请日：2020-08-17

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 山下茉莉子 ,  小松香奈子 ,  石井良明 ,  篠原大辅

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 实施方式提供能够小型化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第一导电型的半导体基板、设于所述半导体基板上的第一导电型的半导体层、设于所述半导体基板与所述半导体层之间的第二导电型的第一半导体深区域、与所述第一半导体深区域一同包围所述半导体层的第一器件部分的第二导电型的第一保护环区域、与所述第一保护环区域以及所述第一半导体深区域相接并将所述第一器件部分划分为第一区域以及第二区域的第二导电型的第一分离区域、设于所述第一区域内的第一导电型的第一半导体区域、以及设于所述第二区域内的第一导电型的第二半导体区域。