公开(公告)号：CN1055569C

公开(公告)日：2000-08-16

申请号：CN96104554.X

申请日：1996-04-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7825

Abstract: 课题是提供通导电阻小的半导体装置。这是一种把在半导体表面上形成的凹沟与凹沟之间所形成的沟道里流动的主电流，用已埋入到凹沟内部中去的栅极电极进行控制的半导体装置，被此栅极电极直接控制的主电流的方向与半导体表面平行，主电流分布在从半导体表面的垂直方向上。因而可以不受半导体表面面积限制地、自由地增大沟道宽度W。

公开(公告)号：CN1780124A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510116183.4

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  高桥守郎

IPC: H02M3/155

CPC classification number: G05F1/618

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。上侧及下侧开关元件通过使控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换。控制单元控制该控制电压的大小而使上侧/下侧开关元件交替地导通。控制单元进行控制，以在上侧开关元件导通状态和非导通状态之间进行切换时刻的前后，使下侧开关元件的控制电压的绝对值成为比阈值电压的绝对值小、比基准电压大的中间电压。

公开(公告)号：CN1149203A

公开(公告)日：1997-05-07

申请号：CN96104554.X

申请日：1996-04-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7824 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/435 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/7455 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7825

Abstract: 课题是提供通导电阻小的半导体装置。这是一种把在半导体表面上形成的凹沟与凹沟之间所形成的沟道里流动的主电流，用已埋入到凹沟内部中去的栅极电极进行控制的半导体装置，被此栅极电极直接控制的主电流的方向与半导体表面平行，主电流分布在从半导体表面的垂直方向上。因而可以不受半导体表面面积限制地、自由地增大沟道宽度W。

公开(公告)号：CN1967875A

公开(公告)日：2007-05-23

申请号：CN200610149387.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  佐藤久美子 ,  渡边君则 ,  安原纪夫 ,  末代知子 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7835

Abstract: 在半导体衬底上隔着栅绝缘膜形成栅电极。以夹住该栅电极的方式在半导体衬底的表面上形成了扩散区。以电连接到扩散区上的方式在半导体衬底的表面上形成高电阻层，进而以电连接到该高电阻层上的方式在半导体衬底的表面上形成低电阻层，将漏电极连接到该低电阻层上。

公开(公告)号：CN1866506B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200610084752.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  角保人 ,  足立克之

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件，具有多个半导体元件和将这些半导体元件并联的第一布线及第二布线，其特征在于，上述第一布线及第二布线具有多个布线层；各布线层将上述第一布线及第二布线交替且平行地形成而构成；在邻接的布线层之间，上述布线相互交叉地形成，并且，在上述第一布线的交叉部及上述第二布线的交叉部，分别用层间连接部连接上述第一布线彼此及上述第二布线彼此。

公开(公告)号：CN100536301C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510116183.4

申请日：2005-10-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  高桥守郎

IPC: H02M3/155

CPC classification number: G05F1/618

Abstract: 本发明提供一种半导体器件。上侧及下侧开关元件通过使控制电压变化而在导通状态和非导通状态之间切换。控制单元控制该控制电压的大小而使上侧/下侧开关元件交替地导通。控制单元进行控制，以在上侧开关元件导通状态和非导通状态之间进行切换时刻的前后，使下侧开关元件的控制电压的绝对值成为比阈值电压的绝对值小、比基准电压大的中间电压。

公开(公告)号：CN100527440C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200610149387.2

申请日：2006-11-16

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  佐藤久美子 ,  渡边君则 ,  安原纪夫 ,  末代知子 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/456 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/7835

Abstract: 在半导体衬底上隔着栅绝缘膜形成栅电极。以夹住该栅电极的方式在半导体衬底的表面上形成了扩散区。以电连接到扩散区上的方式在半导体衬底的表面上形成高电阻层，进而以电连接到该高电阻层上的方式在半导体衬底的表面上形成低电阻层，将漏电极连接到该低电阻层上。

公开(公告)号：CN1866506A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200610084752.6

申请日：2006-05-18

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 远藤幸一 ,  角保人 ,  足立克之

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/4824 ,  H01L21/823475 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的半导体器件，具有多个半导体元件和将这些半导体元件并联的第一布线及第二布线，其特征在于，上述第一布线及第二布线具有多个布线层；各布线层将上述第一布线及第二布线交替且平行地形成而构成；在邻接的布线层之间，上述布线相互交叉地形成，并且，在上述第一布线的交叉部及上述第二布线的交叉部，分别用层间连接部连接上述第一布线彼此及上述第二布线彼此。