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公开(公告)号：CN104637946A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410072672.3
申请日：2014-02-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/115 , G11C16/04
CPC classification number: H01L27/11524 , H01L29/66825 , H01L29/7881
Abstract: 一种非易失性半导体存储装置包括NAND串，该NAND串包括布置在第一方向上的存储基元和布置为在第一方向上与位于存储基元的末端的第一存储基元相邻的选择栅。第一间隙布置在存储基元之间，并且第二间隙布置在第一存储基元和选择栅之间。此外，在横截面形状中，第二间隙的上端高于第一间隙的上端，并且第二间隙的上部弯曲。
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