公开(公告)号：CN101154687A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710142431.1

申请日：2007-08-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/792 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0483 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/785

Abstract: 将非易失性半导体存储元件的沟道形成为板状，在沟道区域的一面上隔着绝缘膜形成电荷存储层，其上隔着绝缘膜形成控制栅电极。在沟道区域的另一面上隔着绝缘膜形成控制栅电极。板状半导体区域的厚度比该杂质浓度所决定的最大耗尽层厚度的2倍要薄。这样，可以使改变控制栅电极的电压所伴随的阈值电压的变动量，比以往元件中的界限值还要小。其结果，得到提高了阈值电压的控制性、能够实现低电源电压化、能够实现低耗电的非易失性半导体存储元件。

公开(公告)号：CN101483193B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200910001631.4

申请日：2009-01-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L29/792 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：半导体基板、绝缘区域、第一导电类型的多个线状半导体层、第二导电类型的多个源/漏区域、多个沟道区域、第一绝缘膜、以及栅电极，其中，与在线方向上流过上述线状半导体层的电流垂直且与上述半导体基板的表面平行地测量的各沟道区域的长度小于等于由上述沟道区域中的杂质浓度决定的最大耗尽层宽度的二倍，上述多个线状半导体层的间隔小于等于各线状半导体层的上表面与上述栅电极的间隔的二倍，上述绝缘区域的表面的至少一部分的相对介电常数低于3.9。

公开(公告)号：CN1262017C

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN00129221.8

申请日：2000-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66659

Abstract: 场效应晶体管包含：半导体衬底；选择性地制作在半导体衬底上的栅绝缘膜；制作在栅绝缘膜上的栅电极；具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部的源/漏区，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区；以及制作在半导体衬底表面部分中的被夹在相对的源/漏区之间的沟道区。位于至少一个源/漏区覆盖栅电极的覆盖区处的栅绝缘膜部分，具有比位于沟道区上的栅绝缘膜部分更低的介电常数。从而能够完全抑制短沟道效应，并能够实现高速运行。

公开(公告)号：CN101483193A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200910001631.4

申请日：2009-01-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L27/12 ,  H01L29/792 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/0649

Abstract: 本发明提供一种半导体元件，具有：半导体基板、绝缘区域、第一导电类型的多个线状半导体层、第二导电类型的多个源/漏区域、多个沟道区域、第一绝缘膜、以及栅电极，其中，与在线方向上流过上述线状半导体层的电流垂直且与上述半导体基板的表面平行地测量的各沟道区域的长度小于等于由上述沟道区域中的杂质浓度决定的最大耗尽层宽度的二倍，上述多个线状半导体层的间隔小于等于各线状半导体层的上表面与上述栅电极的间隔的二倍，上述绝缘区域的表面的至少一部分的相对介电常数低于3.9。

公开(公告)号：CN1332449C

公开(公告)日：2007-08-15

申请号：CN200410069834.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/51 ,  H01L21/28

Abstract: 一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；制作在半导体衬底上的栅电极；制作在栅电极和半导体衬底之间的栅绝缘膜，此栅绝缘膜从栅电极的至少一个彼此相对的端部退出；制作在栅电极的至少一个彼此相对的侧表面上的层间绝缘膜，使位于栅绝缘膜退出一侧上的层间绝缘膜部分与半导体衬底接触，并由栅电极、栅绝缘膜和衬底产生一个空洞；以及沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源/漏区，此源/漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区。从而能够完全抑制短沟道效应，并能够实现高速运行。

公开(公告)号：CN1591903A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410068603.1

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城 ,  石原贵光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。

公开(公告)号：CN100379020C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200410068603.1

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城 ,  石原贵光

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/78

Abstract: 课题在于实现在半导体衬底中移动的载流子的迁移率的提高。是一种在把金属氧化物等用做栅极绝缘膜的场效应晶体管中，栅极绝缘膜是包括在半导体衬底上边形成的第1绝缘膜、第1绝缘膜上边形成的第2绝缘膜和在第2绝缘膜上边形成的第3绝缘膜的至少3层的叠层；第2或第3绝缘膜含有金属，第2绝缘膜的介电系数比第1绝缘膜的介电系数与第3绝缘膜的介电系数之积的平方根还高的半导体器件。提供减小载流子从存在于栅极绝缘膜中或栅极绝缘膜半导体衬底之间的界面上的电荷受到的散射，实现载流子的迁移率的提高，高速动作的半导体器件。

公开(公告)号：CN1560926A

公开(公告)日：2005-01-05

申请号：CN200410069834.4

申请日：2000-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66659

Abstract: 一种场效应晶体管，它包含：半导体衬底；制作在半导体衬底上的栅电极；制作在栅电极和半导体衬底之间的栅绝缘膜，此栅绝缘膜从栅电极的至少一个彼此相对的端部退出；制作在栅电极的至少一个彼此相对的侧表面上的层间绝缘膜，使位于栅绝缘膜退出一侧上的层间绝缘膜部分与半导体衬底接触，并由栅电极、栅绝缘膜和衬底产生一个空洞；以及沿栅电极的彼此相对的侧表面制作在半导体衬底表面部分中的源/漏区，此源/漏区具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部，各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区。从而能够完全抑制短沟道效应，并能够实现高速运行。

公开(公告)号：CN1290040A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN00129221.8

申请日：2000-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野瑞城

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4983 ,  H01L21/28035 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66659

Abstract: 场效应晶体管包含:半导体衬底;选择性地制作在半导体衬底上的栅绝缘膜;制作在栅绝缘膜上的栅电极;具有位于栅电极紧邻下方的相对的端部的源/漏区,各个相对的端部具有覆盖栅电极的覆盖区;以及制作在半导体衬底表面部分中的被夹在相对的源/漏区之间的沟道区。位于至少一个源/漏区覆盖栅电极的覆盖区处的栅绝缘膜部分,具有比位于沟道区上的栅绝缘膜部分更低的介电常数。从而能够完全抑制短沟道效应,并能够实现高速运行。