公开(公告)号：CN102856489B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201210097760.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西山胜哉 ,  相川尚德 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  上田公二 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。

公开(公告)号：CN102856489A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210097760.X

申请日：2012-04-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 西山胜哉 ,  相川尚德 ,  甲斐正 ,  永濑俊彦 ,  上田公二 ,  与田博明

IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

CPC classification number: G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。根据一个实施例，一种磁阻元件包括：存储层(2)，其具有垂直且可变的磁化；参考层(4)，其具有垂直且恒定的磁化；偏移调整层(6)，其具有沿与所述参考层(4)的磁化相反的方向的垂直且恒定的磁化；第一非磁性层(3)，其在所述存储层(2)与所述参考层(4)之间；以及第二非磁性层(5)，其在所述参考层(4)与所述偏移调整层(6)之间。所述参考层(4)的切换磁场等于或小于所述存储层(2)的切换磁场，且所述参考层(4)的磁弛豫常数大于所述存储层(2)的磁弛豫常数。