公开(公告)号：CN1421928A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02148236.5

申请日：2002-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田雅基 ,  梶田明広

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在第一层间绝缘层中形成埋入型导电层，上述导电层具有比上述第一层间绝缘层表面高的表面。另外，用具有平坦表面的绝缘膜覆盖上述第一层间绝缘层和上述导电层，在该绝缘膜中形成蚀刻选择比比上述绝缘膜高的的第二层间绝缘层。在上述半导体器件的制造方法中，在半导体衬底层上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成沟，在第一层间绝缘层上形成导电层，用上述导电层掩埋沟，研磨导电层形成后的衬底表面，形成露出第一层间绝缘层和导电层的平坦面。还蚀刻去除研磨引起的上述第一层间绝缘层表面的损伤层，在蚀刻后的衬底表面上使用涂布法，形成绝缘膜。之后，在上述绝缘膜上形成蚀刻选择比比绝缘膜高的第二层间绝缘层。

公开(公告)号：CN1231969C

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN02148236.5

申请日：2002-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田雅基 ,  梶田明広

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有埋入型导电层的半导体器件及其制造方法。在半导体器件中，在第一层间绝缘层中形成埋入型导电层，上述导电层具有比上述第一层间绝缘层表面高的表面。另外，用具有平坦表面的绝缘膜覆盖上述第一层间绝缘层和上述导电层，在该绝缘膜中形成蚀刻选择比比上述绝缘膜高的的第二层间绝缘层。在上述半导体器件的制造方法中，在半导体衬底层上形成第一层间绝缘层，在第一层间绝缘层中形成沟，在第一层间绝缘层上形成导电层，用上述导电层掩埋沟，研磨导电层形成后的衬底表面，形成露出第一层间绝缘层和导电层的平坦面。还蚀刻去除研磨引起的上述第一层间绝缘层表面的损伤层，在蚀刻后的衬底表面上使用涂布法，形成绝缘膜。之后，在上述绝缘膜上形成蚀刻选择比比绝缘膜高的第二层间绝缘层。

公开(公告)号：CN100380655C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510062802.6

申请日：2005-02-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶田明広

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，具有通过改变熔丝元件的电阻来控制其功能的熔丝元件，该熔丝元件即使进行激光照射也不熔断熔丝，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。而且，包含可以通过向所述开口部照射激光而在所述栓塞内形成的空隙。

公开(公告)号：CN1655351A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510062802.6

申请日：2005-02-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 梶田明広

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L23/5258 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，具有通过改变熔丝元件的电阻来控制其功能的熔丝元件，该熔丝元件即使进行激光照射也不熔断熔丝，该半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上方的第1布线层；形成于所述第1布线层上方的第2布线层；将所述第1布线层和第2布线层间进行连接的至少一个作为熔丝元件的栓塞；以及在形成于所述第2布线层上方的一部分绝缘膜中与所述栓塞对应设置的开口部。而且，包含可以通过向所述开口部照射激光而在所述栓塞内形成的空隙。