公开(公告)号：CN1877795A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200610087917.5

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有隅修 ,  清利正弘

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具备：在基底区域上形成含有硅氧化物作为主成分的第1绝缘膜的工序；使水附着在所述第1绝缘膜上的工序；在所述附着了水的第1绝缘膜上，形成含有含硅聚合物的聚合物溶液层的工序；由所述聚合物溶液层生成含有硅氧化物作为主成分的第2绝缘膜的工序，所述生成第2绝缘膜的工序，包括通过所述聚合物与所述第1绝缘膜上附着的水的反应来生成硅氧化物的工序。

公开(公告)号：CN1123470A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性，具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。

公开(公告)号：CN100352063C

公开(公告)日：2007-11-28

申请号：CN03800949.8

申请日：2003-05-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  英芬能技术公司

Inventor： 有隅修 ,  今井馨太郎 ,  山川晃司 ,  文范基

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/55

Abstract: 半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。

公开(公告)号：CN100461347C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610087917.5

申请日：2006-06-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 有隅修 ,  清利正弘

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/022 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/312 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76828 ,  H01L21/76837

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，其具备：在基底区域上形成含有硅氧化物作为主成分的第1绝缘膜的工序；使水附着在所述第1绝缘膜上的工序；在所述附着了水的第1绝缘膜上，形成含有含硅聚合物的聚合物溶液层的工序；由所述聚合物溶液层生成含有硅氧化物作为主成分的第2绝缘膜的工序，所述生成第2绝缘膜的工序，包括通过所述聚合物与所述第1绝缘膜上附着的水的反应来生成硅氧化物的工序。

公开(公告)号：CN1550043A

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN03800949.8

申请日：2003-05-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  英芬能技术公司

Inventor： 有隅修 ,  今井馨太郎 ,  山川晃司 ,  文范基

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/56 ,  H01L28/55

Abstract: 半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。

公开(公告)号：CN1052817C

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。