公开(公告)号：CN104425503B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410018468.3

申请日：2014-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  泽敬一

IPC: H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件：半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。

公开(公告)号：CN104425503A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410018468.3

申请日：2014-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  泽敬一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件：半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。