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发明公开
半导体制造设备及半导体器件的制造方法有权复审申请

公开(公告)号：CN103972045A

公开(公告)日：2014-08-06

申请号：CN201310503545.X

申请日：2013-10-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小出辰彦 , 小川义宏 , 清利正弘

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67034 , H01L21/02057 , H01L21/0206 , H01L21/02068 , H01L21/3086 , H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及半导体制造设备及半导体器件的制造方法。根据本实施例的半导体制造设备包括腔。配置化学剂供给部分以向所述腔中的已用清洁液体清洁的半导体衬底的表面供给憎水剂或有机溶剂。配置喷射部分以将捕获水的水捕获剂喷射到所述腔中的气氛中。

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