公开(公告)号：CN100364059C

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200510091987.3

申请日：2005-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 松尾弘之 ,  中岛俊贵 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。

公开(公告)号：CN1741263A

公开(公告)日：2006-03-01

申请号：CN200510109849.3

申请日：2005-08-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  松尾弘之 ,  中岛俊贵

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0805 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7853

Abstract: 一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。

公开(公告)号：CN1734722A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510091987.3

申请日：2005-08-15

Applicant: 精工爱普生株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 松尾弘之 ,  中岛俊贵 ,  宫崎邦浩

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/823481 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/66575

Abstract: 本发明公开了一种用含有氟化氢和臭氧的蚀刻剂蚀刻基础材料的蚀刻方法。基础材料具有用作为主材料的硅构成的第一区域和用作为主材料的SiO2构成的第二区域。该蚀刻方法包括下述步骤：准备基础材料；将蚀刻剂供应到基础材料上，以利用蚀刻剂对硅的蚀刻速率高于蚀刻剂对SiO2的蚀刻速率这一特征在第一区域和第二区域之间形成台阶，使第一区域的表面高度低于第二区域的表面高度。

公开(公告)号：CN1591779A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410083298.3

申请日：2004-09-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  大日本斯克林制造株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  火口隆司 ,  中岛俊贵 ,  松尾弘之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  G01N27/06

Abstract: 公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。

公开(公告)号：CN1311520C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN200410083298.3

申请日：2004-09-03

Applicant: 大日本斯克林制造株式会社 ,  精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  火口隆司 ,  中岛俊贵 ,  松尾弘之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/302

CPC classification number: H01L21/67057 ,  G01N27/06

Abstract: 公开了一种晶片清洗方法，其包括将清洁水供给用化学溶液清洗的晶片(2)，测量包括化学溶液和清洁水的溶液(6)的电阻率，并将该测量值对时间微分，以及用清洁水持续清洗晶片(2)，直到电阻率的时间微分值等于或小于预定值，并在该预定值保持预定时间。

公开(公告)号：CN100452345C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200510109849.3

申请日：2005-08-26

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 宫崎邦浩 ,  松尾弘之 ,  中岛俊贵

IPC: H01L21/76 ,  H01L21/306 ,  H01L21/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法。在所述方法中，在具有(100)向晶面的硅(Si)衬底(11)上形成薄膜(12)，去除位于元件隔离区上的所述薄膜(12)的部分。然后，通过利用所述薄膜(12)作为掩膜以及氢氟酸和臭氧水的混合溶液，对所述Si衬底(11)进行选择性蚀刻，在所述衬底(11)中形成沟槽(15)以隔离元件。

公开(公告)号：CN1808697A

公开(公告)日：2006-07-26

申请号：CN200510133836.X

申请日：2005-12-21

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 松尾弘之 ,  宫崎邦浩 ,  中岛俊贵

IPC: H01L21/306 ,  C11D7/08 ,  C11D7/06

Abstract: 本发明的半导体基板的处理方法，是使用含有NH4OH和HF的处理液对半导体基板进行处理的方法，当设处理液中的NH4OH的浓度为X[mol/L]，设处理液中的HF的浓度为Y[mol/L]时，满足0.30≤X/Y≤0.78的关系、以及0.03≤Y≤6.0的关系。处理液优选实质上不含H2O2。另外，供于本发明的处理方法的半导体基板，优选其表面附近的至少一部分由高熔点金属构成。由此，本发明提供一种能够选择性地去除在半导体基板的表面附近存在的污染物质(无用物质)的半导体基板的处理方法，提供一种使用这样的方法制造的可靠性高的半导体部件，另外还提供一种具备所述半导体部件的可靠性高的电子机器。