公开(公告)号：CN105990432A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510093121.X

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 富田幸太 ,  前山贤二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3065 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7809 ,  H01L29/781

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明提供一种向半导体层施加的应力可缓和的半导体装置。本发明的半导体装置包括：第一导电型第一半导体层；第一导电型第二半导体层，设在第一半导体层上；第二导电型第三半导体层，选择性地设在第二半导体层上；第一导电型第四半导体层，设在第三半导体层上；第一电极，隔着绝缘膜设在第二、第三、第四半导体层；第二电极，设在第四半导体层上，且连接第四半导体层；第三电极，与第二电极分离，一端与第一半导体层相接，另一端位于第二半导体层表面侧；且该半导体装置包含：第二半导体层的表面、及与第三电极相接且与第二半导体层的表面相连的面，第二半导体层的表面与该面成直角或钝角。

公开(公告)号：CN113410302B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202010798566.9

申请日：2020-08-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 相田喜久夫 ,  前山贤二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置具有半导体部、半导体部的背面侧的第一电极、表面侧的第二电极、以及半导体部和第二电极之间的控制电极。第二电极包括在半导体部中延伸的第一接触部和与半导体部的表面接触的第二接触部。半导体部包括第一导电型的第一层、第二导电型的第二层和第一导电型的第三层。第二层设置于第一层和第二电极之间。第三层设置于第二层和第二电极之间，与第一接触部及第二接触部接触。第一接触部在排列于第一方向的第一位置及第二位置，分别具有第二方向上的第一宽度和第二方向上的第二宽度，第一位置位于第一电极和第二位置之间，第一宽度比第二宽度宽，第一方向从第一电极朝向第二电极，第二方向沿着半导体部的表面从控制电极朝向第一接触部。

公开(公告)号：CN107833920A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710383195.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林研也 ,  前山贤二 ,  松尾浩司 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0611 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不轻易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1栅极电极、第2栅极电极、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、绝缘部、及第1电极。第2栅极电极在第1方向和第1栅极电极相隔。第2半导体区域在第1半导体区域之上设置在第1栅极电极和第2栅极电极之间。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分之上。第4半导体区域在第2方向和第3半导体区域并排。绝缘部设置在第3半导体区域和第4半导体区域之间。绝缘部的下端的位置比第2半导体区域和第3半导体区域之间的界面深。

公开(公告)号：CN114171596A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111001569.6

申请日：2021-08-30

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 前山贤二

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备第一、第二电极、第一导电型的第一、第三半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、栅极电极、绝缘部。第一半导体区域设置于第一电极的上方，与第一电极电连接。第二半导体区域设置于第一半导体区域的上方。第三半导体区域设置于第二半导体区域的上方。栅极电极在第二方向上，隔着栅极绝缘层与第一半导体区域的一部分、第二半导体区域及第三半导体区域的一部分并排。绝缘部设置于栅极电极的上方，在第二方向上与第三半导体区域的别的一部分并排。绝缘部包含：第一绝缘区域和第二绝缘区域，设置于第一绝缘区域的上方。第二电极设置于第三半导体区域及绝缘部的上方，与第二及第三半导体区域电连接。

公开(公告)号：CN113410302A

公开(公告)日：2021-09-17

申请号：CN202010798566.9

申请日：2020-08-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 相田喜久夫 ,  前山贤二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 半导体装置具有半导体部、半导体部的背面侧的第一电极、表面侧的第二电极、以及半导体部和第二电极之间的控制电极。第二电极包括在半导体部中延伸的第一接触部和与半导体部的表面接触的第二接触部。半导体部包括第一导电型的第一层、第二导电型的第二层和第一导电型的第三层。第二层设置于第一层和第二电极之间。第三层设置于第二层和第二电极之间，与第一接触部及第二接触部接触。第一接触部在排列于第一方向的第一位置及第二位置，分别具有第二方向上的第一宽度和第二方向上的第二宽度，第一位置位于第一电极和第二位置之间，第一宽度比第二宽度宽，第一方向从第一电极朝向第二电极，第二方向沿着半导体部的表面从控制电极朝向第一接触部。

公开(公告)号：CN107833920B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201710383195.6

申请日：2017-05-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小林研也 ,  前山贤二 ,  松尾浩司 ,  川口雄介

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的实施方式提供一种寄生晶体管不轻易动作的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第1栅极电极、第2栅极电极、第2导电型的第2半导体区域、第1导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、绝缘部、及第1电极。第2栅极电极在第1方向和第1栅极电极相隔。第2半导体区域在第1半导体区域之上设置在第1栅极电极和第2栅极电极之间。第3半导体区域设置在第2半导体区域的一部分之上。第4半导体区域在第2方向和第3半导体区域并排。绝缘部设置在第3半导体区域和第4半导体区域之间。绝缘部的下端的位置比第2半导体区域和第3半导体区域之间的界面深。