公开(公告)号：CN101552014A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910138832.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: G11B9/00 ,  G11B9/04

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN1983619A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610168972.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11B9/04 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C7/00

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN1913037A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610109186.X

申请日：2006-08-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平井隆大 ,  内藤胜之 ,  久保光一 ,  元井雄一 ,  渡边浩志

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/22 ,  G11C11/02 ,  G11C11/56 ,  G11C16/30 ,  G11C5/14

CPC classification number: G11C16/3418 ,  G11C13/0033 ,  G11C13/0069 ,  G11C16/30 ,  G11C16/3431

Abstract: 根据本发明的一个方面的一种数据记录装置，包括：存储芯片中的存储单元阵列；执行存储单元阵列的数据更新的更新电路；在短于数据保持时间的时间间隔，执行更新并管理数据保持时间的更新控制电路；以及在数据记录装置从外部装置中被移除的状态下，向更新电路和更新控制电路供给电源电势的内部电源。

公开(公告)号：CN101828235B

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN200880112046.5

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永嵨宏行 ,  久保光一 ,  福田康之

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3463 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲。选择电路将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元。感测放大器对所述存储器基元执行校验读取。状态判定电路基于所述感测放大器的输出而判定校验结果。控制电路基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。

公开(公告)号：CN101552014B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910138832.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: G11B9/00 ,  G11B9/04

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN1983619B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200610168972.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11B9/04 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C7/00

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN101828235A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200880112046.5

申请日：2008-10-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 永嵨宏行 ,  久保光一 ,  福田康之

IPC: G11C13/00

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C16/3413 ,  G11C16/3463 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0092 ,  G11C2213/11 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/56 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件包括以矩阵形式设置的电可擦除可编程非易失性存储器基元的存储器基元阵列，每一个存储器基元使用可变电阻器。脉冲产生器基于写入数据而产生用于使所述可变电阻器的电阻变化的多个类型的写入脉冲。选择电路将由所述脉冲产生器产生的写入脉冲施加到所述存储器基元。感测放大器对所述存储器基元执行校验读取。状态判定电路基于所述感测放大器的输出而判定校验结果。控制电路基于所述状态判定电路的所述校验结果而对所述存储器基元执行附加的写入。

公开(公告)号：CN101136226A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147251.2

申请日：2007-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  古贺章浩 ,  秋山纯一 ,  高仓晋司 ,  中村博昭

IPC: G11B9/04

CPC classification number: G11B9/02 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1481

Abstract: 本发明的课题为利用高精度的位置控制技术实现高记录密度。本发明的实施例涉及的信息记录再生装置包括：第1及第2数据头(14)；具有利用第1数据头读出记录数据的数据区域及利用第2数据头读出伺服脉冲信号的伺服脉冲区域的记录媒体(12)；根据伺服脉冲信号对第2数据头进行定位的驱动器(17)；以及覆盖伺服脉冲区域的表面，而不覆盖数据区域表面的电阻体，利用记录媒体(12)的电阻变化对记录数据及伺服脉冲信号进行记录。