公开(公告)号：CN101552014A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910138832.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: G11B9/00 ,  G11B9/04

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN1983619A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610168972.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11B9/04 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C7/00

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN101552014B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200910138832.9

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: G11B9/00 ,  G11B9/04

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。

公开(公告)号：CN1983619B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN200610168972.7

申请日：2006-12-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 久保光一 ,  平井隆大 ,  青木伸也 ,  罗宾·卡特 ,  鎌田亲义

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11B9/04 ,  G11C13/00 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02 ,  G11C7/00

Abstract: 根据本发明的实施例，一种数据读/写装置，它包括记录层和对记录层施加电压、在记录层中产生电阻变化并记录数据的装置。所述记录层由含有至少两种阳离子元素的复合化合物组成，其中至少一种所述阳离子元素是具有电子不完全填充的d轨道的过渡元素，且相邻阳离子元素间的最短距离在0.32nm或以下。