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公开(公告)号：CN101965667A
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200980108300.9
申请日：2009-10-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/0658 , H01S5/2009 , H01S5/2081 , H01S5/2206 , H01S5/3063
Abstract: 本发明涉及的氮化物半导体激光元件具备：形成在基板上的由氮化物半导体构成的活性层(106)；和形成在活性层(106)上，具有使电流选择性地向活性层(106)流动的开口部(109a)的电流缩窄层(109)；在将开口部(109a)与电流缩窄层(109)之间的有效折射率差设为Δn、将从活性层(106)发出的激光之中被封闭在活性层(106)中的激光的垂直方向的光封闭率设为Γv时，满足0.044＜Δn/Γv＜0.062的关系。
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公开(公告)号：CN103443942A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015421.0
申请日：2012-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0095 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种半导体发光元件，能够抑制因量子点荧光体的氧化而引起的发光效率降低。本发明涉及的半导体发光元件(1)具备：半导体层，包含活性层(13)；第一金属层(16)，被形成在半导体层上；第一绝缘膜(18)，以覆盖半导体层的上面以及侧面的方式，被形成在第一金属层上(16)；第二绝缘膜(20)，被形成在第一绝缘膜(18)上且包含半导体微粒子；以及第三绝缘膜(21)，被形成在第二绝缘膜(20)上，第二绝缘膜(20)由第一绝缘膜(18)和第三绝缘膜(21)覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101939881A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200980104444.7
申请日：2009-10-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/164 , H01S5/2201 , H01S5/3403 , H01S5/34333
Abstract: 本申请提供一种半导体激光装置及其制造方法。半导体激光装置具备半导体层层叠体(20)，该半导体层层叠体(20)选择性地生成在基板的除规定区域外的区域上。半导体层层叠体(20)包括活性层(14)，并且具有带状的光波导路，该光波导路沿着与射出光的前方端面(20A)相交的方向延伸。活性层(14)具有形成在规定区域的周向边缘部的异常生成部(14a)和形成在异常生成部(14a)的周围的禁带带宽增大部(14b)，该禁带带宽增大部(14b)的禁带带宽比除异常生成部(14a)以外的活性层(14)的其他部分的禁带带宽大。光波导路与异常生成部(14a)相间隔并在前方端面(20A)包括禁带带宽增大部(14b)。
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公开(公告)号：CN102265474A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN200980152766.9
申请日：2009-12-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L21/28 , H01L21/306 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/7787 , B82Y20/00 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/32 , H01L29/365 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/66462 , H01S5/2081 , H01S5/2202 , H01S5/3054 , H01S5/34333 , H01S2301/173
Abstract: 氮化物半导体装置具备：在基板(101)上形成的第一氮化物半导体层(107)、在第一氮化物半导体层(107)上形成的缺陷导入层(108)、以及在缺陷导入层(108)上接触形成的具有露出缺陷导入层(108)的开口部的第二氮化物半导体层(109)。缺陷导入层(108)与第一氮化物半导体层(107)以及第二氮化物半导体层(109)相比，结晶缺陷密度较大。
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公开(公告)号：CN104169637A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201380015184.2
申请日：2013-05-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , G02B26/008 , G03B21/2013 , G03B21/2066 , G03B21/208 , G03B33/06 , G03B33/08 , G03B33/12 , H04N9/3114 , H04N9/3158 , H04N9/3182
Abstract: 本发明的发光装置具备放射第一波长的光的半导体发光元件、和包含至少一种第一荧光体并且被上述第一波长的光激发而放射与上述第一波长的光不同的第二波长的光的第一波长变换部，上述荧光体包含作为激活剂的Eu(铕)，上述第一波长的光以1kW/cm2以上的光密度照射上述第一波长变换部，在设想为射入上述第一波长变换部的上述第一波长的光，和从上述第一波长变换部放射的上述第二波长的光的光输出比为η1的情况下，上述第一波长的光以5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η11，和上述第一波长的光以2.5kW/cm2的光密度照射上述第一波长变换部时的光输出比η12满足关系式1≤η12/η11≤1.17。
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公开(公告)号：CN103444021A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014025.6
申请日：2012-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/323 , B82Y20/00 , H01L33/0045 , H01L33/20 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/22 , H01S5/3211 , H01S5/3214 , H01S5/34333
Abstract: 一种具有光波导(120)的氮化物半导体发光元件，至少以下部覆盖层(102)、活性层(104)、上部覆盖层(107)的顺序来包含这些层，上部覆盖层(107)具有：由透明导电体构成的第二上部覆盖层(109)、以及由氮化物半导体构成的第一上部覆盖层(108)，且第一上部覆盖层(108)被形成在比该第二上部覆盖层(109)靠近活性层一侧。
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公开(公告)号：CN102301548A
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN201080003286.9
申请日：2010-09-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , C23C16/34 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/325 , H01S5/22 , H01S5/3413 , H01S2304/04
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置及其制造方法，半导体发光装置具备：在基板(101)上形成的n型覆层(102)；在n型覆层(102)上形成且具有阱层以及障壁层的活性层(105)；在活性层(105)上形成的p型覆层(109)。其中，阱层由含有铟的氮化物半导体构成，且阱层的氢浓度高于n型覆层(102)的氢浓度，且低于p型覆层(109)的氢浓度。
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