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公开(公告)号：CN1466763A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1358326A
公开(公告)日：2002-07-10
申请号：CN00809440.3
申请日：2000-06-09
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林信一郎 , 维克拉姆·乔希 , 纳拉亚恩·索拉亚潘 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯德阿劳约
IPC: H01L21/316 , H01L29/78 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/22 , G11C11/223 , H01L21/31691 , H01L27/0629 , H01L29/78391
Abstract: 一种高介电常数绝缘体,包含选自以下的金属氧化物薄膜:钨－青铜－型氧化物、烧绿石－型氧化物、以及Bi2O3与选自以下的氧化物的组合:钙钛矿－型氧化物和烧绿石－型氧化物。一种实施方式含有化学计量通式AB2O6、A2B2O7和A2Bi2B2O10所代表的金属氧化物,其中A代表选自以下金属的A－位原子:Ba、Bi、Sr、Pb、Ca、K、Na和La;并且B代表选自以下金属的B－位原子:Ti、Zr、Ta、Hf、Mo、W和Nb。优选这些金属氧化物是(BaxSr1－x)(TayNb1－y)2O6,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0;(BaxSr1－x)2(TayNb1－y)2O7,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0和(BaxSr1－x)2Bi2(TayNb1－y)2O10,其中0≤x≤1.0且0≤y≤1.0。本发明的薄膜的相对介电常数≥40,优选为约100。本发明的金属氧化物的Vcc值接近0。Tcc值
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公开(公告)号：CN1237618C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层，将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122)，在氧环境中不超过300℃的温度下，在热板上烘焙5分钟，然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时，以便形成厚度不超过90nm的层状超晶格材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128)，和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是钽酸锶铋，母体包含u摩尔当量的锶，v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽，其中0.8≤u≤1.0，2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1236452C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1337068A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN00802711.0
申请日：2000-01-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L29/92 , H01L21/8247 , H01L21/316
Abstract: 一种涂层,将包含金属的液体母体涂覆到第一电极(122),在氧环境中不超过300℃的温度下,在热板上烘焙5分钟,然后在675℃进行RTP退火30秒钟。然后在700℃氧或氮环境中退火1小时,以便形成厚度不超过90nm的层状超点阵材料薄膜(124)。形成第二电极(126)以形成电容器(128),和在不超过700℃的氧或氮环境中进行后退火。如果材料是锶铋钽,母体包含u摩尔当量的锶,v摩尔当量的铋和w摩尔当量的钽,其中0.8≤u≤1.0,2.0≤v≤2.3和1.9≤w≤2.1。
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公开(公告)号：CN1169193C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN99810093.5
申请日：1999-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 形成一包含一金属氧化物铁电薄膜的集成电路。实现一电压循环恢复工序以扭转由氢引起的铁电属性的退化。该电压循环恢复工序通过施加104至1011个具有1至5伏振幅的电压周期来实现。金属氧化物薄膜包括如铅锆钛酸盐或分层超晶格材料的钙钛矿材料，或最好是锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐。如果该集成电路生产包括一形成气体的退火，则该电压循环恢复工序在该形成气体的退火之后进行。该电压循环恢复工序消除了恢复氧的退火，并且它还允许继续使用常规的富氧等离子工序和形成气体的退火，而没有对铁电薄膜的持久存在的破坏的危险。
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公开(公告)号：CN1169194C
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN99813279.9
申请日：1999-10-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02 , H01L27/115 , H01L29/15
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种非易失性集成电路存储器，包含铁电分层超点阵材料薄膜(100，200，300，601)。进行惰性气体恢复性退火，以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体气氛中进行，其温度范围为300℃～1000℃，持续时间从一分钟到两个小时。分层超点阵材料最好是由钽酸锶铋或铌酸钽锶铋组成。如果集成电路的制造包括成形-气体退火步骤(432)，那么惰性气体恢复性退火布置(434)在成形-气体退火步骤(432)之后进行，并且最好与成形-气体退火处理步骤的温度范围和持续时间相同或相近。惰性气体恢复性退火处理避免了氧恢复性退火，并且它还使传统的富氢等离子体处理和成形-气体退火处理能继续使用，而没有造成铁电薄膜永久性损坏的危险。惰性气体气氛可以包括纯的惰性气体或者惰性气体的混合物。惰性气体可以是任意相对惰性的气体如：氮气或者氩气。
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公开(公告)号：CN1326589A
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：CN99813279.9
申请日：1999-10-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种集成电路,包含金属氧化物薄膜(100,200,300,601)。进行恢复性退火以抵消由氢引起的铁电性能的降低。惰性气体恢复性退火处理在惰性气体氮、氩或者其它类似气体气氛中进行,其温度范围为300℃～1000℃,持续时间从一分钟到两个小时。金属氧化物薄膜包含钙钛矿物质如PZT(钛酸铅锆)或者最好是分层超点阵材料象SBT(钽酸锶铋)或SBTN(铌酸钽锶铋)。如果集成电路制造步骤包括成形－气体退火步骤432,那么惰性气体恢复性退火434在成形－气体退火432之后进行,并且最好与成形－气体退火处理的温度范围和持续时间相同。惰性气体恢复性退火处理避免了氧恢复性退火,并且它使得传统的富氢等离子体工艺和成形－气体退火处理能够继续使用,而没有铁电薄膜永久性损坏的危险。
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公开(公告)号：CN1320274A
公开(公告)日：2001-10-31
申请号：CN99810093.5
申请日：1999-08-18
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 英菲尼昂科技股份公司
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 形成一包含一金属氧化物铁电薄膜的集成电路。实现一电压循环恢复工序以扭转由氢引起的铁电属性的退化。该电压循环恢复工序通过施加104至1011个具有1至5伏振幅的电压周期来实现。金属氧化物薄膜包括如铅锆钛酸盐或分层超晶格材料的钙钛矿材料,或最好是锶铋钽酸盐或锶铋钽铌酸盐。如果该集成电路生产包括一形成气体的退火,则该电压循环恢复工序在该形成气体的退火之后进行。该电压循环恢复工序消除了恢复氧的退火,并且它还允许继续使用常规的富氧等离子工序和形成气体的退火,而没有对铁电薄膜的持久存在的破坏的危险。
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