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公开(公告)号：CN1466763A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器636，包括一组存储器单元645，12，201，301，401，501，每个单元具有一铁电存储器元件44，218，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线25，49，125，325，425，525，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器20，42，120，320，420，在存储器单元及位元线之间，一设定开关14，114，314，414，514，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关16，116，316，416，516，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1236452C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN01816271.1
申请日：2001-09-25
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/22
CPC classification number: G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器(636)，包括一组存储器单元(645，12，201，301，401，501)，每个单元具有一铁电存储器元件(44，218)，一驱动线，其上置放有写入信息至存储器单元群组的电压；一位元线(25，49，125)，(325，425，525)，其上置放有欲自存储器单元组读出的信息，一前置放大器(20，42，120，320，420)，在存储器单元及位元线之间，一设定开关(14，114，314，414，514)，连接于驱动线及存储器单元之间，一重设开关(16，116，316，416，516)，连接于与前置放大器并联的存储器单元。存储器是藉由横跨存储器元件置放一小于铁电存储器元件的矫顽电压的电压而被读取。在读取之前，自单元群组的噪声是藉由使铁电存储器元件的两个电极接地而排放。
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公开(公告)号：CN1120249C
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN98807069.3
申请日：1998-07-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕兹德阿罗 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉严·索拉亚攀 , 杰弗里·W·培根
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45565 , B05D1/007 , B05D1/04 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C18/12 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾，其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160)，在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃-250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送，以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中，该沉积反应器中有一加热到300℃-600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃-900℃的高温处理，生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1311897A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN99809280.0
申请日：1999-07-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 卡洛斯·A·帕兹德阿罗
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , B05D1/00 , B05D1/60 , B05D3/0493 , B05D3/062 , B05D3/065 , C23C8/10 , C23C16/4412 , C23C16/4486 , C23C16/45561 , C23C16/4558 , C23C16/46 , C23C16/482 , C23C16/52 , C23C18/12 , C23C18/1216 , C23C18/1287 , C23C18/1291 , C23C18/14 , C23C26/02 , C30B7/00 , C30B7/005 , C30B29/68 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/56 , H01L28/60 , H01L41/314 , H05K3/105 , Y10S427/101
Abstract: 一基片(5)位于一沉积室(2)中,该基片界定一基片平面。用超声波或文丘里设备把一包含稀释剂的液态前体(64)雾化成胶态雾,该稀释剂把所述液态前体溶液的表面张力减小到每厘米10－40达因。该雾生成后安置在一缓冲室中,经一系统过滤成0.01μm,然后流入在该基片与挡板之间的沉积室中,在该基片上沉积成一液态层。该液体经干燥在该基片上形成一金属氧化物固态薄膜,该薄膜然后制成集成电路中的一电元件。
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公开(公告)号：CN1263569A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：CN98807069.3
申请日：1998-07-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司
Inventor： 卡洛斯·A·帕兹德阿罗 , 拉里·D·麦克米伦 , 纳拉严·索拉亚攀 , 杰弗里·W·培根
IPC: C23C16/44 , C23C16/40 , H01L21/314
CPC classification number: C23C16/45565 , B05D1/007 , B05D1/04 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/45561 , C23C18/12 , H01L21/31691 , H01L28/55
Abstract: 一文丘里雾发生器(141、142、143、16)从一含有有机金属化合物的液态前体生成雾,其中的雾滴的直径小于1μm。雾混合后送入一气化器(160),在该气化器中雾滴在低于该前体化合物发生分解的温度的100℃—250℃下气化。气化前体化合物在绝热管道(161、168)中在室温下由载气传送,以防止凝结和过早分解。由气化前体与氧化剂气体混合成的气态反应混合物从一喷头(184)喷入一沉积反应器中,该沉积反应器中有一加热到300℃—600℃的基片(185)。该气化前体在基片(185)上分解而在基片上生成一固体材料薄膜(860)。该薄膜(860)经500℃—900℃的高温处理,生成多晶金属氧化物材料、特别是铁电分层超点阵材料。
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公开(公告)号：CN1272951A
公开(公告)日：2000-11-08
申请号：CN99800918.0
申请日：1999-06-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
CPC classification number: G02F1/133603
Abstract: 在平板显示器中的铁电分层超晶格材料薄膜通电,选择性地影响显示器图象。在一个实施方案中,电压脉冲引起所述分层超晶格材料发射电子,这些电子撞击在磷光体上,引起磷光体发光。在另一个实施方案中,电势在分层超晶格材料中产生一个剩余极化,该剩余极化施加一个电场在液晶层上,由此影响通过该液晶的光线的透过率。所述分层超晶格材料是金属氧化物,用含有烷氧羧酸盐的本发明液态前体制成。所述薄膜厚度优选为50—140nm,这样提高了薄膜的极化度和透明性。显示器元件可以包括一个变阻器装置,以防止像素间的串扰,并使得突然的极化转换成为可能。在铁电薄膜中的功能梯度增加了电子发射。在磷光体两边各一个的两个铁电元件,可以用来提高发光性能。磷光体可以是三明治型的,夹在介电层和铁电层之间,以便增加发射。
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公开(公告)号：CN1311896A
公开(公告)日：2001-09-05
申请号：CN99809086.7
申请日：1999-07-07
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 卡洛斯·A·帕兹德阿罗
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/31691 , C23C18/1216 , C23C18/1295
Abstract: 将一种包含铊的液态前体涂敷到第一电极(28,58)上,以低于725℃的温度进行烘焙,以相同的温度进行一至五小时的退火,以产生铁电叠层超晶格材料(30,60)。成形第二电极(32,77),以形成电容器(16,72),并且以低于725℃的温度进行第二退火。如果所述的材料是锶铋铊钽酸盐,在所述的前体中,每(2.2－x)摩尔当量的铋,就含有(m－1)摩尔当量的锶、x摩尔当量的铊、以及m摩尔当量的钽,其中,m=2,并且,0.0
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公开(公告)号：CN1252779A
公开(公告)日：2000-05-10
申请号：CN98804185.5
申请日：1998-03-12
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01J9/20 , C03C17/25 , C03C2217/228 , C03C2218/11 , H01J2209/012 , H01J2211/40
Abstract: 提出一种在等离子体显示器(100)上制造氧化镁层(122)的新方法(P200)。将羧化镁液态前体溶液加在显示面板(102)上,进行干燥退火处理,形成一层具有很好的光电性能的固体氧化镁层。
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