公开(公告)号：CN101872771A

公开(公告)日：2010-10-27

申请号：CN201010197471.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  苏步春 ,  张亮 ,  张帆 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。

公开(公告)号：CN110245421A

公开(公告)日：2019-09-17

申请号：CN201910515122.7

申请日：2019-06-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王君兰 ,  王光义 ,  谷文玉 ,  杨柳 ,  牛小燕

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端；集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算，将输出信号再返回到乘法器U5，集成运算放大器U2用于实现反相放大运算，将输出信号返回到集成运算放大器U1，最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算和绝对值运算，集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。

公开(公告)号：CN110245421B

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN201910515122.7

申请日：2019-06-14

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王君兰 ,  王光义 ,  谷文玉 ,  杨柳 ,  牛小燕

IPC: G06F30/36

Abstract: 本发明公开了一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端；集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算，将输出信号再返回到乘法器U5，集成运算放大器U2用于实现反相放大运算，将输出信号返回到集成运算放大器U1，最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算和绝对值运算，集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。

公开(公告)号：CN116644789A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202310606650.X

申请日：2023-05-26

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 石树宇 ,  卢振洲 ,  梁燕 ,  牛小燕 ,  杨柳

IPC: G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器和负电容的神经元电路，属于神经元电路技术领域，该电路包括一个忆阻器、一个负电容和一个线性电感，三者并联构成三阶的神经元电路，忆阻器负端与负电容和线性电感并联并且接地，通过改变电感的参数值，模拟不同的放电行为。本发明具有结构简单、易于实现、可集成化等优势，更适合模拟真实的神经元，有助于理解生物神经元的正常功能。

公开(公告)号：CN101872771B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201010197471.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  苏步春 ,  张亮 ,  张帆 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。

公开(公告)号：CN201681942U

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN201020154946.0

申请日：2010-04-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  张帆 ,  苏步春 ,  张亮 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/41

Abstract: 本实用新型涉及一种纵向沟道SOI LDMOS单元。现有技术限制了器件结构与主要电学特性的改善。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本实用新型将集成SOI LDMOS的沟道方向由横向变为纵向，增加了纵向栅场板，同时将表面漏极变为体漏极，横向栅场板被源场板取代，消除了器件导通时通态电流向漂移区正表面集中的不良效应，降低了扩展电阻，改善了漂移区电导调制效应，提高了态电流，降低了通态电阻和通态压降，从而降低了通态功耗，基本消除器件层纵向耐压限制，减小芯片面积，改善器件耐高温特性。

公开(公告)号：CN201804866U

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201020221047.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  苏步春 ,  张亮 ,  张帆 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L27/12

Abstract: 本实用新型涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本实用新型包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本实用新型由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。