公开(公告)号：CN109543313B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN201811425352.6

申请日：2018-11-27

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王晓媛 ,  闵晓涛 ,  张雪 ,  张海鹏

IPC: G06F30/367 ,  G06F30/373

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器反馈的超混沌系统的电路模型。本发明包括忆导项产生电路，x及‑x项产生电路，y及‑y项产生电路，z项产生电路，w项产生电路。本发明利用集成运算放大器和模拟乘法器电路实现超混沌系统方程中的相应运算，其中，集成运算放大器主要用于实现比例运算、反相运算和积分运算，模拟乘法器用于实现方程中各项的乘积运算。本发明结构简单，可用于超混沌系统电路设计、实验以及应用，对超混沌电路在伪随机序列的产生、密码学、保密通信等诸多领域中的应用研究具有重要的实际意义。

公开(公告)号：CN109545861B

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN201811276770.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 程子峰 ,  张海鹏 ,  白建玲 ,  张强 ,  耿露

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、AlN缓冲层、n+‑GaN集电区层、i‑GaN第一隔离层、i‑AlGaN第一势垒层、i‑GaN量子阱层、i‑AlGaN第二势垒层、i‑GaN或者i‑InGaN第二隔离层、n+‑GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明针对现有技术的不足，提供一种具有多电流振荡峰‑谷的多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管,具有足够明显且可实用的多个负微分电阻区伏安特性，且其伏安特性在足够低的正偏压下的多个负微分电阻区具有适当的峰值电流与谷值电流比,能够实现更丰富多彩的多值逻辑电路及其应用系统。

公开(公告)号：CN109360853B

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN201810928184.6

申请日：2018-08-15

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 阮良浩 ,  王晶 ,  赵文生 ,  张海鹏

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66

Abstract: 本发明公开了一种提高二硫化钼锯齿形条带自旋极化率的异质结结构及方法。本发明异质结结构中的散射区由沿输入端至输出端方向排布的散射区一段、散射区二段和散射区三段组成；散射区一段和散射区三段为宽度和长度均相等的锯齿型条带；散射区三段与散射区一段的长度方向一致，散射区二段的长度方向与散射区一段的长度方向呈90°夹角；散射区二段为沿长度方向的扶手椅型条带；输入端和输出端均为锯齿型条带。本发明通过寻找只允许某一种自旋方向的电子能级存在的能量范围，使电子以该范围内的能量入射时，另一种自旋方向的电子被完全过滤，实现自旋的完全极化。

公开(公告)号：CN108717471B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201810240525.0

申请日：2018-03-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  白建玲 ,  林弥 ,  张忠海 ,  王晶 ,  吕伟锋 ,  王晓媛 ,  张强

IPC: G06F30/20

Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。

公开(公告)号：CN109545861A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811276770.3

申请日：2018-10-30

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 程子峰 ,  张海鹏 ,  白建玲 ,  张强 ,  耿露

IPC: H01L29/88 ,  H01L29/20 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管。本发明包括GaN基底、AlN缓冲层、n+-GaN集电区层、i-GaN第一隔离层、i-AlGaN第一势垒层、i-GaN量子阱层、i-AlGaN第二势垒层、i-GaN或者i-InGaN第二隔离层、n+-GaN发射区层、AlN钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。本发明针对现有技术的不足，提供一种具有多电流振荡峰-谷的多谐GaN/AlGaN共振隧穿二极管,具有足够明显且可实用的多个负微分电阻区伏安特性，且其伏安特性在足够低的正偏压下的多个负微分电阻区具有适当的峰值电流与谷值电流比,能够实现更丰富多彩的多值逻辑电路及其应用系统。

公开(公告)号：CN109524453A

公开(公告)日：2019-03-26

申请号：CN201811230233.5

申请日：2018-10-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  耿露 ,  王晓媛 ,  张忠海 ,  林弥 ,  陆雪杰

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/88

Abstract: 本发明涉及一种GaN基高压整流共振隧穿二极管。本发明包括 面GaN基底、n+-In0.07Ga0.93N集电区层、i-In0.07Ga0.93N第一隔离层、AlGaN第一势垒层、i-In0.14Ga0.86N量子阱层、GaN第二势垒层、i-In0.21Ga0.89N第二隔离层、n+-In0.21Ga0.89N发射区层、钝化层、集电区金属电极引脚与发射区金属电极引脚。该种GaN基高压共振隧穿二极管—HVRTD具有正向较高阻断电压和反向超低电阻率的伏安特性，且制造工艺与GaN基集成器件和路(包括电路、光路、磁路、气路、机械路及复合路)的微纳集成制造工艺兼容，非常适用于GaN基集成器件和路的ESD保护应用，可以在近似理想的840ns时间内承受±2000V ESD而确保GaN基集成器件和路不被损毁。

公开(公告)号：CN109037321A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810647726.2

申请日：2018-06-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 王晶 ,  封路 ,  阮良浩 ,  赵文生 ,  张海鹏

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/10 ,  H01L29/06 ,  H01L29/165 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7391 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66045

Abstract: 本发明公开了石墨烯条带异质结双栅TFET及其开关特性提升方法。如何提高TFET的开态电流是TFET研究的一个重要方向。本发明的源区、漏区以及源区与漏区之间的沟道组成石墨烯条带异质结；沟道由沿源区至漏区方向排布的沟道一段和沟道二段组成；源区、沟道二段和漏区均为扶手椅型石墨烯纳米条带；沟道一段的条带延伸方向与扶手椅型石墨烯纳米条带的延伸方向成一夹角。本发明在关态情况下，沟道一段沿器件长度方向为带隙扶手椅型石墨烯纳米条带，区域态密度为0，起到抑制关态电流的作用；开态情况下，沟道内有电流，沟道一段沿电流传输方向为锯齿型石墨烯条带，沟道一段内无带隙，促进电子在源区与沟道间的量子隧穿效应，提升开态电流。

公开(公告)号：CN108717471A

公开(公告)日：2018-10-30

申请号：CN201810240525.0

申请日：2018-03-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  白建玲 ,  林弥 ,  张忠海 ,  王晶 ,  吕伟锋 ,  王晓媛 ,  张强

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明涉及一种电压域振荡量子器件伏安特性的建模方法。根据电压域振荡量子器件的电流疏运机理，对同类器件结构伏安特性的仿真测试曲线进行类比分析,进行曲线分解；对分解后的曲线分量建立数学模型。将分量数学模型进行叠加，得到初始完整伏安特性曲线模型，采用仿真拟合模型参数；将模型结果曲线与数值仿真测试曲线对比分析，根据存在误差的规律性优化拟合参数；采用误差消减方法得到精确的伏安特性模型结果。本发明解决了电压域振荡量子器件伏安特性难以直接解析求解及仿真测试曲线难以直接解析表述的问题。所得电压域振荡量子器件伏安特性精确模型为电压域电流振荡量子阱器件的伏安特性、器件结构与制造工艺设计奠定解析理论基础。

公开(公告)号：CN103762241B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201410005377.6

申请日：2014-01-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  李俊杰 ,  孟晓 ,  余育新 ,  宁祥 ,  陈紫菱 ,  王彬

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种梳状栅纵向沟道SOI LDMOS单元。常规SOI LDMOS导通沟道宽度小，通态电流小，通态线性电阻大，输出电流能力弱。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、漂移区、阱区、阱接触区、源区、横向梳状纵向栅、横向梳状纵向栅介质层、缓冲区、漏极与漏极接触区、场氧区、多晶硅栅极区、接触孔和金属电极引线。本发明由于将集成纵向沟道SOI LDMOS的栅改进为横向梳状纵向栅结构，增加了器件导通态的比沟道宽度，一方面减小了器件沟道电阻，增大了通态电子流注入，凭借电导调制效应减小漂移区通态电阻，从而降低通态压降和功耗；另一方面则提高了器件的输出电流能力。

公开(公告)号：CN101872771B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN201010197471.8

申请日：2010-06-08

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张海鹏 ,  苏步春 ,  张亮 ,  张帆 ,  牛小燕 ,  林弥

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种逆导型SOI LIGBT器件单元。常规的SOI LIGBT由于没有集成反向续流器件，不具备逆向导通功能。本发明包括半导体衬底、隐埋氧化层、缓冲区、漂移区、阱区、阱接触区、源区、栅氧化层；其中隐埋氧化层将半导体衬底和顶层器件层完全隔离，顶层器件层分为缓冲区和漂移区，内部沟槽隔离氧化层将顶层器件层隔离成主器件部分和续流二极管部分；主器件部分上设置有主器件阳极接触区、主器件阳极短路点区，续流二极管部分设置有续流二极管阴极接触区。本发明由于将反向续流二极管集成在SOI LIGBT器件单元结构之中，无需外接任何器件就具有逆向导通能力，有利于节省资源、降低能耗。