一种基于忆阻器和负电容的神经元电路

    公开(公告)号:CN116644789A

    公开(公告)日:2023-08-25

    申请号:CN202310606650.X

    申请日:2023-05-26

    Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器和负电容的神经元电路,属于神经元电路技术领域,该电路包括一个忆阻器、一个负电容和一个线性电感,三者并联构成三阶的神经元电路,忆阻器负端与负电容和线性电感并联并且接地,通过改变电感的参数值,模拟不同的放电行为。本发明具有结构简单、易于实现、可集成化等优势,更适合模拟真实的神经元,有助于理解生物神经元的正常功能。

    一种基于负电容的混沌电路
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116318609A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211616715.0

    申请日:2022-12-15

    Abstract: 本发明公开了一种基于负电容的混沌电路,由一个负电容C1,一个线性电容C2,一个电感L,一个线性电阻R和一个负电阻‑R0组成。负电容的电压电荷曲线为S形,其负斜率部分即为负电容区域。负电容通过电阻R与线性电容和电感构成的闭合回路耦合构成一个三阶系统,负电阻并联在电路两端用来提供振荡所需的能量。在合适的线性器件参数下,该混沌电路能产生多种混沌现象,填补了现有技术中使用负电容构成混沌电路研究的空白。

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