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公开(公告)号：CN110245421B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201910515122.7
申请日：2019-06-14
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/36
Abstract: 本发明公开了一种新型对数绝对值局部有源忆阻器电路模型。本发明中的集成运算放大器U1和乘法器U8分别连接输入端；集成运算放大器U1用于实现反相加法运算和积分运算，将输出信号再返回到乘法器U5，集成运算放大器U2用于实现反相放大运算，将输出信号返回到集成运算放大器U1，最终求得控制忆导值的状态变量。集成运算放大器U3用于实现反相加法运算、反向放大运算和绝对值运算，集成运算放大器U4用于实现对数运算、反向放大运算，得到需要的忆导控制函数，乘法器U8实现将忆导控制函数和输入的电压量相乘，得到最终的忆阻器电流量。本发明用以模拟局部有源忆阻器的伏安特性，替代实际局部有源忆阻器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN108763789B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810554893.2
申请日：2018-06-01
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367 , G06F30/373
Abstract: 本发明公开了一种基于忆容器的回转忆感器电路。电路由两个集成运放、电阻和一个忆容器构成。其中集成运放以及电阻构成了电感回转器，回转器起到将容性负载转换为感性负载的功能，当从该电路输入端看去时，电路呈现电感特性。本发明电路结构简单，仅仅包括回转电路以及忆容器两部分，忆感值继承了忆容值变化的特点，同样具有记忆功能，且记忆功能会随着信号频率的变化而变化，完全符合记忆器件的特性。
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公开(公告)号：CN113191490A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110265386.9
申请日：2021-03-11
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于时滞神经网络的单神经元混沌电路。其中，神经元电路由运算放大器、电阻、电容组成的加法、积分运算电路及激活函数电路模块构成；激励电路模块由加法电路和第一到第五分段模块构成；分段模块由继电器及运算放大器构成的加法运算电路和电压比较电路构成。给定初始值和时滞，可以通过示波器观察到电压x(t)和时滞信号电压x(t‑τ)之间产生的混沌振荡现象，并且当设置为不同的初始值或时滞可以观察到不同的混沌现象。该电路实现了单神经元在固定时滞下可产生复杂的混沌振荡，对混沌神经网络的应用研究有重要的意义。
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公开(公告)号：CN109786466A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201910066276.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法，本发明包括如下步骤：在现有的FinFET制作工艺中，当完成沟道刻蚀后，在栅氧化层沉积之前，在沟道靠近漏端(drain)的一半沟道区域注入一定浓度和剂量的锗（Ge）离子，并且保持之后的现有工艺技术不做改变。因此，这种方法与以往的工艺具有很好的兼容性，制作过程并没有明显的增加工艺的难度与复杂度。另外，还提供了理论基础，以及提高的性能的计算方法。本发明提供了一种可以提高FinFET器件高频/高速性能的方法以满足一些现代电路对器件高频/高速性能越来越高的需求。
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公开(公告)号：CN109002602A
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201810756938.4
申请日：2018-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种浮地磁控忆感器仿真器电路。本发明中的电流传输器U1、U2通过外接一个电容，构成积分电路，构成磁通量产生电路。U1将输出连接到乘法器U6，U2将输出经过一个积分电路后连接到U6，乘法器U6对磁通量和磁通量的积分进行乘法运算，并将结果输出到加法器U9。积分器U5同时也将信号传输到乘法器U7，U7对磁通量积分进行自相乘，并将输出传输到U8。乘法器U8对U1的磁通量和U7的磁通量积分的平方相乘，并将输出传输到U9。加法器U9对来自U6和U8的信号进行加法运算，并将输出传输到电流传输器U4。本发明用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108959837A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201811156823.8
申请日：2018-09-30
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5036 , G06F17/5063
Abstract: 本发明公开了一种四值忆阻器仿真器的实现电路，本发明包括集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U4、U5、U6、U7、U8、U9、U10、U11，集成运算放大器U1连接输入端，即四值忆阻器的电压u和电流i的测试端；集成运算放大器U1和乘法器U2、U3、U6、U7、U8、U9、U10、U11用于实现积分运算、求和运算和反相运算，求得控制忆导值的状态变量，得到需要的忆导控制函数。通过乘法器U4、U5及集成运算放大器U1的反相加法运算，得到最终的忆阻器电流量。本发明提出了一种实现四值忆阻器特性的仿真器，用以模拟四值忆阻器的伏安特性，便于对四值忆阻器进行实验和应用研究。
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公开(公告)号：CN105389443B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201510916922.1
申请日：2015-12-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种忆感器对数模型及其等效电路，该电路包括集成运算放大器U1和乘法器U2，集成运算放大器U1用于实现积分运算、反向加法运算、对数运算和反向器；积分运算用于实现输入信号的积分，再通过反向加法器实现与常数的相加，相加的和输入到对数运算电路进行对数运算，再将对数运算结果输入到反相器进行取反，将取反后的信号输入到乘法器U2，乘法器U2的另一端与输入信号相连，乘法器U2用于实现信号的相乘，最终得到输出磁通量。本发明只含1个集成运放和1个乘法器，结构简单，用以模拟忆感器电流‑磁通的滞回特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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公开(公告)号：CN108696274A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810370749.3
申请日：2018-04-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H03K19/00
CPC classification number: H03K19/00
Abstract: 本发明公开了一种指数型流控忆阻器的电路模型，本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3，输入电流i(t)经过集成运算放大器U1得到忆阻器的电荷量，再经过集成运算放大器U2和乘法器U3最终得到忆阻器的电压量；集成运算放大器U1主要实现积分运算；集成运算放大器U2主要实现指数运算和加法运算。本发明提出了一种实现忆阻器特性的模拟电路，用模拟忆阻器的伏安特性，替代实际忆阻器进行实验和应用。
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公开(公告)号：CN107451380A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710804775.8
申请日：2017-09-08
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5045
Abstract: 本发明公开了一种实现指数型荷控忆容器仿真器的电路。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3，输入电流i经过集成运算放大器U1得到忆容器的电荷量，再经过集成运算放大器U2和乘法器U3最终得到忆容器的电压量；集成运算放大器U1主要实现积分运算和反相放大运算；集成运算放大器U2主要实现积分运算、指数运算和加法运算。本发明提出了一种实现忆容器特性的模拟电路，用模拟忆容器的伏库特性，替代实际忆容器进行实验和应用。
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公开(公告)号：CN105447270A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510940074.8
申请日：2015-12-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明公开了一种指数型忆感器电路。本发明包括集成运算放大器U1、集成运算放大器U2和乘法器U3，电压u经过集成运算放大器U1构成磁通量产生电路，集成运算放大器U1用于实现积分运算和反相比例运算，将输出信号再经过集成运算放大器U2和乘法器U3最终得到电流量，集成运算放大器U2用于实现积分运算、指数运算和加法运算，得到需要的指数信号，乘法器U3实现将指数信号和得到的磁通量相乘，得到最终的忆感器电流量。本发明提出了一种实现忆感器特性的模拟电路，用以模拟忆感器的磁通电流特性，替代实际忆感器进行实验和应用及研究。
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