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公开(公告)号：CN106449486B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201610951584.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨电极的相对面相平行；衔铁外壁缠绕有漆包线绕线组；衔铁内安装托架，托架用于安放硅片，硅片处于两石墨电极之间且与两石墨电极的相对面相平行，硅片将反应釜分隔成两个腔室；电源的一正负极分别与两石墨电极板电连接，电源的另一正负极还与漆包线绕线组两端电连接。本发明制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置具有操作简单、智能化程度高、生产效率高等特点，适合大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN113210215B
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202110532112.1
申请日：2021-05-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种悬浮式匀胶机及其匀胶方法。现有匀胶机涂膜不均匀。本发明包括底座，所述底座上设有风筒；所述风筒上固定匀胶室，所述匀胶室为空腔结构，且匀胶室的底端与风筒连通，所述匀胶室的侧壁开设有通气孔，所述匀胶室内设有载片托盘，所述载片托盘的侧壁上开设有沿周向均布的多个气道；所述风筒内位于所述载片托盘正下方位置处固定设有出风装置；所述出风装置的进气口和所述载片托盘的通气孔均与气体发生装置连接，所述出风装置用于驱动所述载片托盘悬浮，所述通气孔与气道配合用于驱动载片托盘旋转。本发明使得载片托盘中的晶片在空中旋转，没有任何直接的干扰，保证了晶片的形状不会受到破坏，增加了匀胶晶片的成品率。
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公开(公告)号：CN114314504A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111632799.2
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场与机械振动结合的硅纳米结构制备方法，通过振动硅片，使预先沉积在硅片上的导磁性膜析出导磁性金属粒子，通过向三个漆包线绕线组产生三个磁场，使导磁性金属粒子沿磁场的磁力线排布，并在持续振动作用下沿硅片表面磁力线指向与硅片表面发生撞击，使团聚在导磁性金属粒子周围的腐蚀液中的酸随导磁性金属粒子撞击硅片表面，与硅片反应；在振动与磁场结合作用下，导磁性金属粒子不断重复与硅片表面撞击，并不断回到磁力线位置进行排布，逐渐完成硅片表面的微纳米结构制备。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流的频率、相位和幅值，能获得不同磁场分布，使导磁性金属粒子能带动腐蚀液中的酸在硅片上刻蚀出不同的预设图案。
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公开(公告)号：CN114291786A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111681487.0
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种磁场与振动结合的硅片微纳米结构制备装置，包括衔铁圈、漆包线绕线组、反应釜、振动器和夹紧托盘；衔铁圈固定在反应釜的侧壁上；三个漆包线绕线组绕在衔铁圈上；夹紧推盘固定在反应釜底部；反应釜底部与振动器的输出端固定连接；振动器和三个漆包线绕线组分别连接一个电源。本发明通过改变三个漆包线绕线组通入电流的频率、相位和幅值，能获得不同的磁场分布，使得导磁性金属粒子周围团聚的腐蚀液中的酸能在硅片上刻蚀出不同的预设图案；本发明结构简单，在硅片加工时具有较高的精度。
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公开(公告)号：CN104711678B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201510056984.X
申请日：2015-02-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种在交变电场下制备硅纳米结构材料的方法，其按如下步骤：(1)、体硅的六面粘接三对独立的惰性电极，并在每一惰性电极上钻出工艺孔，惰性电极能产生交变电场；(2)、将步骤(1)的体硅放入由氢氟酸、双氧水、金属催化剂和去离子水配制而成的腐蚀液中；(3)、步骤(2)后，开启惰性电极，交变电场频率为28‑40kHz，三对惰性电极产生三个正交的交变电场控制腐蚀方向和腐蚀速度，腐蚀一段时间后取出清洗，制得硅纳米结构材料。本发明方法不仅解决了金属辅助腐蚀中速率低、制备的硅纳米结构精度低等问题，而且通过交变电场对金属催化剂颗粒的精确控制，从而能够控制腐蚀方向，实现三维硅纳米结构的精确制备。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114346636A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202210103120.9
申请日：2022-01-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种多用途O型密封圈自动装配设备及方法。密封圈的安装通常由人工完成，安装精度低，效率低。本发明的升降机构驱动旋转机构、机械臂和抓取机构升降，旋转机构驱动机械臂和抓取机构旋转；抓取机构包括壳体、旋转电机、驱动块、卡爪组件和顶推组件；旋转电机经驱动块带动卡爪组件水平移动；卡爪组件的卡爪可相对卡板上下移动；顶推组件包括套筒、滑板和圆弧推板；套筒与壳体固定；圆弧推板与套筒通过滑板连接；滑板穿过卡爪；圆弧推板的底面高于卡爪底面；卡爪组件和顶推组件的数量且均为3、4或5个。本发明适用于不同内径O型密封圈的装配，以及零件不同水平、高度位置的待装配环形槽上安装密封圈。
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公开(公告)号：CN114300353A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111668040.X
申请日：2021-12-31
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/306 , B81C1/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种交变电场结合超声制备硅纳米结构的方法；通过两对超声发生器在反应釜内形成了驻波场，使得带电金属粒子在驻波场中停滞在各个驻波节点上；通过在两个石墨电极中通入交变电流，使反应釜中产生交变电场，使得带电金属粒子沿交变电场力的方向带动腐蚀液中的酸与硅片发生刻蚀反应；通过改变超声波的频率和幅值改变驻波场中驻波节点的位置，从而改变带电金属粒子催化刻蚀反应的位置；通过改变交变电流的频率与幅值，改变硅片表面微结构的腐蚀深度；通过改变交变电场力的方向，改变硅片表面微结构的倾斜度。本发明通过调节超声波和交变电流的频率和幅值，能实现按预设图案对硅片表面进行刻蚀；提高了硅片的刻蚀效率和精确度。
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公开(公告)号：CN114158991A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111549182.4
申请日：2021-12-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种墙面清洗机器人及其在墙面进行清洁与移动的方法，包括左机身、右机身、双臂机构、升降机构、平移机构、清洁机构和真空吸附机构；双臂机构的两个左长臂和两个右长臂通过球面铰接在左、右机身上；齿轮与齿条配合调整两个左长臂和两个右长臂位置，实现两个左长臂和两个右长臂的前进、后退与升降；真空泵一和真空泵二吸附底部吸盘和爬行脚吸盘内空气，使机器人稳定吸附在墙面；电动缸一、电动缸二、电机五和电机六配合实现机器人的左、右横移；电机三和连杆三实现毛刷公转，电机四实现毛刷自转。本发明的两个左长臂和两个右长臂运动空间大，灵活多变，能实现机器人前进、后退与横移，稳定性好、工作高效，可进行墙面清理工作。
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公开(公告)号：CN105301407B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510788377.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种超声微气泡带电性测量的装置，包括微注射泵、第一超声换能器、第二超声换能器、第一超声发生器、第二超声发生器、第一声变幅杆、第二声变幅杆、发射板、反射板，微注射泵上设有针头，针头正对水槽之内；第一超声发生器电联接第一超声换能器，第一超声换能器通过第一声变幅杆与第一发射板相联，第一发射板正对水槽；反射板正对水槽且处于第一发射板的正对侧；第二超声发生器电联接第二超声换能器，第二超声换能器通过第二声变幅杆与第二发射板相联，第二发射板正对水槽。本发明超声微气泡带电性测量的装置结构简单、操作方法简单易行，测出气泡带电性对如何控制气泡以及如何控制湿法腐蚀具有重大意义。
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公开(公告)号：CN103618026B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201310558211.2
申请日：2013-11-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种网格化的多晶硅微纳加工装置及方法。目前制备多晶硅太阳电池的减反射层效果欠佳。本发明中超声波发生器控制器的输出端通过换能器与变幅杆的尾部螺纹连接，变幅杆的头部与平面超声工具头的尾部螺纹连接；每个平面超声工具头的头部均伸入反应观察室内；反应观察室与每个平面超声工具头相对的内侧壁处分别固定设置有一块声波反射板；反应容器设置在反应观察室内。本发明的多晶硅微纳加工方法步骤为：将混合酸液注入反应容器，驱动平面超声工具头形成超声驻波，将多晶硅材料放入反应容器中进行制备，制备完后置于去离子溶液中清洗，封装。本发明可提高多晶硅表面减反效果，从而提高多晶硅光伏电池光电转化效率。
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