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公开(公告)号：CN106449486B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN201610951584.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨电极的相对面相平行；衔铁外壁缠绕有漆包线绕线组；衔铁内安装托架，托架用于安放硅片，硅片处于两石墨电极之间且与两石墨电极的相对面相平行，硅片将反应釜分隔成两个腔室；电源的一正负极分别与两石墨电极板电连接，电源的另一正负极还与漆包线绕线组两端电连接。本发明制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置具有操作简单、智能化程度高、生产效率高等特点，适合大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN106744670B
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201611046617.2
申请日：2016-11-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种硅表面纳米结构的可控性加工方法，其包括如下步骤：步骤一，对硅片进行贵金属涂；步骤二，制备硅纳米结构：一反应釜中盛入蚀刻溶液，反应釜设置电场发生装置以及磁场发生装置；步骤一的硅片置入反应釜且浸入所述的蚀刻溶液，先启动电场发生装置，后启动磁场发生装置，反应设定时间后，制得硅纳米结构。本发明操作简单方便，能够克服晶向力、溶液黏性阻力控制腐蚀方向，可重复性高，制备硅纳米结构效率高，便于大规模使用生产。本发明制备的硅纳米结构在微电子、光电子、太阳能电池以及传感器等领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN105301407B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201510788377.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开了一种超声微气泡带电性测量的装置，包括微注射泵、第一超声换能器、第二超声换能器、第一超声发生器、第二超声发生器、第一声变幅杆、第二声变幅杆、发射板、反射板，微注射泵上设有针头，针头正对水槽之内；第一超声发生器电联接第一超声换能器，第一超声换能器通过第一声变幅杆与第一发射板相联，第一发射板正对水槽；反射板正对水槽且处于第一发射板的正对侧；第二超声发生器电联接第二超声换能器，第二超声换能器通过第二声变幅杆与第二发射板相联，第二发射板正对水槽。本发明超声微气泡带电性测量的装置结构简单、操作方法简单易行，测出气泡带电性对如何控制气泡以及如何控制湿法腐蚀具有重大意义。
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公开(公告)号：CN106876520B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710046206.1
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0236 , C23F1/08 , C23F1/24 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种控制硅纳米线走向的装置，包括反应釜体、可调电源、控制单元、盛放蚀刻溶液器皿和泵，反应釜体的中部设有硅片架，反应釜体由硅片架及硅片平分为左右两个腔室，盛放蚀刻溶液器皿通过管道分别连接至两个腔室，泵设于管道的前端，反应釜体的顶部设有端盖，端盖上设有环形导轨和滑块，滑块与环形导轨相匹配，两个腔室分别设有惰性电极，惰性电极与硅片架相对面为平面，惰性电极通过穿设于端盖及滑块的长螺栓与可调电源电连接，两个长螺栓通过连杆连接，惰性电极与可调电源电连接，可调电源和泵分别受控制单元的控制。本发明制备可控硅表面纳米结构的装置具有操作简单、生产效率高、产品质量高等特点，适合大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN106927421A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710046177.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: B82B3/0009 , B82B3/0066 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面金属颗粒，干燥。本发明提出添加外电场来驱动贵金属离子，通过调整外加电场的方向来制备不同硅纳米线走向的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106449486A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610951584.X
申请日：2016-10-27
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67086
Abstract: 本发明属于硅表面加工技术领域，具体涉及一种制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置。本发明电磁耦合装置包括：反应釜、电源；反应釜包括筒状的衔铁，衔铁的上口、下口分别由顶盖、底盖封住，衔铁的内壁安装有对称的两石墨电极，两侧石墨电极的相对面相平行；衔铁外壁缠绕有漆包线绕线组；衔铁内安装托架，托架用于安放硅片，硅片处于两石墨电极之间且与两石墨电极的相对面相平行，硅片将反应釜分隔成两个腔室；电源的一正负极分别与两石墨电极板电连接，电源的另一正负极还与漆包线绕线组两端电连接。本发明制备可控硅表面纳米结构的电磁耦合装置具有操作简单、智能化程度高、生产效率高等特点，适合大规模产业化应用。
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公开(公告)号：CN105439083A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510788271.2
申请日：2015-11-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B81C1/00 , B82Y40/00 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , B81C1/00539 , B82Y40/00 , H01L31/02363
Abstract: 本发明公开了一种基于超声驻波场制备硅微纳结构阵列的方法，按如下步骤：(1)、配比腐蚀液：腐蚀液由HF溶液、H2O2溶液和AgNO3溶液均匀混配而成；(2)、将步骤(1)的腐蚀液放入反应釜中，反应釜置于超声发生器形成的超声驻波场中，开启超声波电源，形成超声驻波场；(3)、将清洗后的单晶硅硅片放入反应釜中，腐蚀时间30-60min后，得到单晶硅微纳结构阵列。本发明将超声驻波场与传统的金属辅助化学腐蚀法结合，使反应过程中的金属催化剂颗粒在超声驻波场声辐射力的作用下积聚在超声驻波点，使金属催化剂颗粒呈线性阵列分布在单晶硅表面，随着腐蚀反应的进行，单晶硅表面会形成规则的微纳结构阵列。
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公开(公告)号：CN104883074A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201510318878.4
申请日：2015-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M5/458
Abstract: 本发明公开了一种分形超声波电源装置，包括控制器，控制器与LCD显示屏、键盘、分开信号发生器相联，控制器通过第一保护电路与整流滤波电路、第一驱动电路相联，整滤波电路接入市电，分形信号发生器分别通过第一驱动电路、第二驱动电路与直流斩波电路、高频逆变电路相联，整流滤波电路依次通过直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器、网络匹配电路后与超声换能器相联，第二保护电路与直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器都相联，超声换能器分别通过电压采样、电流采样与信号放大电路相联，信号放大电路通过带通滤波器与控制器相联。
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公开(公告)号：CN105286250B
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201510590567.3
申请日：2015-09-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种便携式可爬楼梯的拉杆箱，包括拉杆箱本体（1）、所述拉杆箱本体（1）沿长度方向的一侧设置有可伸缩的拉杆（4），所述拉杆（4）包括两根可伸缩的拉伸杆（4‑1）以及连接两根拉伸杆（4‑1）的连接杆（5），还包括设置在拉杆箱本体（1）的背面与拉杆（4）底端以轮杆机构转动连接的平轮板（2）；所述平轮板（2）上布设有滚轮（14）；采用上述结构，具有结构简单合理，通过平轮板增加了拉杆箱与楼梯接触的面积，将拉杆箱轮子与楼梯的相对运动转变为平板与楼梯的滑动，因此使拉杆箱在上下楼梯时，平稳省力，保护了箱内的物品。上楼梯结束后收起平轮板到箱体凹陷处，平轮板被卡在箱体凹陷处，拉杆箱整体外观无明显变化，不会破坏箱包原有设计的美观。
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公开(公告)号：CN104883074B
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201510318878.4
申请日：2015-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M5/458
Abstract: 本发明公开了一种分形超声波电源装置，包括控制器，控制器与LCD显示屏、键盘、分开信号发生器相联，控制器通过第一保护电路与整流滤波电路、第一驱动电路相联，整滤波电路接入市电，分形信号发生器分别通过第一驱动电路、第二驱动电路与直流斩波电路、高频逆变电路相联，整流滤波电路依次通过直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器、网络匹配电路后与超声换能器相联，第二保护电路与直流斩波电路、高频逆变电路、高频变压器都相联，超声换能器分别通过电压采样、电流采样与信号放大电路相联，信号放大电路通过带通滤波器与控制器相联。
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