公开(公告)号：CN111244203B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202010216434.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  周明 ,  曾春红 ,  林文魁 ,  王育天 ,  刘辉 ,  李仕琦 ,  刘国华 ,  程知群

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。

公开(公告)号：CN111244203A

公开(公告)日：2020-06-05

申请号：CN202010216434.0

申请日：2020-03-25

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  周明 ,  曾春红 ,  林文魁 ,  王育天 ,  刘辉 ,  李仕琦 ,  刘国华 ,  程知群

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/109

Abstract: 本发明公开了一种基于Ga2O3/CuI异质PN结的日光盲紫外探测器，衬底材料上形成Ga2O3/CuI异质PN结，所述Ga2O3/CuI异质PN结包括设置在衬底材料上的N型Ga2O3层以及设置在该Ga2O3层部分区域上的P型CuI层；在所述CuI层上形成正极，在所述Ga2O3层的另外区域上形成负极；当一定波长的紫外光照射所述Ga2O3/CuI异质PN结时，所述正极和负极之间将会产生光生载流子，以此实现紫外探测。采用本发明的技术方案，具有如下优点：(1)结构简单，工艺成本低。(2)Ga2O3和CuI同为宽禁带半导体，所以该器件为日光盲紫外探测器，无需加滤光片。(3)光生空穴和电子的瞬间分离，可以增加光生载流子的寿命，提高探测性能。