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公开(公告)号：CN100578740C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200680008440.5
申请日：2006-02-27
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。
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公开(公告)号：CN101189706A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200680019518.3
申请日：2006-05-12
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , C09K3/14 , B24B37/00
CPC classification number: H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 提供了分散稳定性及研磨速度优良，特别是在应用于由多段工序构成的CMP中时，即使与碱性研磨剂相接触，也不容易受影响，具有稳定的研磨特性的半导体用研磨剂。研磨剂，它是在半导体集成电路装置的制造中用于研磨被研磨面的化学机械研磨用的研磨剂，其中，该研磨剂含有氧化铈磨粒、水及式1所示的二元羧酸(式1中，n为1～4的整数。)，HOOC(CH2)nCOOH …式1且在25℃时该研磨剂的pH在3.5～6的范围内。
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公开(公告)号：CN101142659A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200680008440.5
申请日：2006-02-27
Applicant: 旭硝子株式会社 , AGC清美化学股份有限公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/0056 , B24B37/044 , C09G1/02 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供在半导体集成电路装置的制造中研磨被研磨面的情况下，可以在多晶硅膜和其它材料之间获得适合的研磨速度比，由此能够实现含多晶硅膜的被研磨面的高度平坦化的研磨技术。作为化学机械研磨用研磨剂，使用含有氧化铈粒子、水溶性多胺和水且其pH在10～13的范围内的研磨剂。
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公开(公告)号：CN103493183B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280020186.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/04 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。
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公开(公告)号：CN102210013B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200980144890.0
申请日：2009-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/321 , H01L21/768 , C09K3/14 , C09G1/02
CPC classification number: C09K3/1409 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 本发明涉及研磨用组合物，其在对隔着阻挡层设置于绝缘层上的铜层进行研磨从而交替形成铜埋设布线和绝缘层的图案形成中，在进行研磨直至邻接于所述铜层的所述阻挡层露出的工序中使用，该研磨用组合物含有脂环族树脂酸、胶体二氧化硅和四甲基铵离子，所述胶体二氧化硅在研磨用组合物中的含量为0.1～1.5质量％，并且平均初级粒径为10～40nm，平均次级粒径为30～80nm，并且平均次级粒径×含量处于10～40的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103503118B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280020737.9
申请日：2012-05-28
Applicant: 旭硝子株式会社
CPC classification number: C09G1/02 , H01L21/02024 , H01L21/0475 , H01L21/30625
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑的表面的研磨剂。该研磨剂的特征在于，含有氧化还原电位为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、氧化硅粒子和氧化铈粒子以及分散介质，所述氧化硅粒子的含量和所述氧化铈粒子的含量的质量比的值为0.2～20。
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公开(公告)号：CN103493183A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280020186.6
申请日：2012-04-19
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/30625 , C09G1/04 , H01L21/02024 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。
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公开(公告)号：CN101512733A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200780033617.1
申请日：2007-09-10
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/31053 , B24B37/044 , C09G1/02 , C09K3/1463
Abstract: 本发明提供一种抛光技术，其确保当在半导体集成电路装置的制造中对待抛光面进行抛光时可以获得硼磷硅酸盐玻璃材料层与其它材料之间合适的抛光速率比，从而可以实现包含硼磷硅酸盐玻璃材料层的待抛光面的高度平坦化。本发明涉及化学机械抛光用抛光剂，包含二氧化铈粒子，水溶性多胺，选自单乙醇胺、乙基乙醇胺、二乙醇胺和氨的一种以上的碱性化合物，以及水，其中该抛光剂的pH值为10至13，且其中碱性化合物的含量大于0.01质量％。
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公开(公告)号：CN104979184B
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201510176570.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/205 , C09K3/14 , C30B29/36 , C30B33/10
CPC classification number: C09G1/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L29/1608 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶‑平台结构的主面，所述原子台阶‑平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20％以下。
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公开(公告)号：CN103857765B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280049471.0
申请日：2012-10-02
Applicant: 旭硝子株式会社
IPC: C09K3/14 , C30B29/36 , C30B33/10 , H01L21/205 , H01L21/304
CPC classification number: C09G1/04 , C30B29/36 , C30B33/00 , H01L21/02024 , H01L29/1608 , Y10T428/24355
Abstract: 本发明涉及碳化硅单晶基板，其具备具有包含来源于结晶结构的原子台阶和平台的原子台阶-平台结构的主面，所述原子台阶-平台结构中，所述原子台阶的前端线部的平均线粗糙度相对于所述原子台阶的高度的比例为20%以下。
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