公开(公告)号：CN112840563B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN201980067483.8

申请日：2019-08-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 提供一种接合体，将压电性材料基板(1A)经由包含氧比率低的硅氧化物的接合层牢固且稳定地接合于支撑基板(3)上。接合体(8A)具备：支撑基板(3)；压电性材料基板(1A)；第一接合层(4A)，其设置于支撑基板(3)上，且组成为Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)；第二接合层(2A)，其设置于压电性材料基板(1A)上，且组成为Si(1‑y)Oy(0.008≤y≤0.408)；以及非晶质层(7)，其设置于第一接合层(4A)与第二接合层(2A)之间。非晶质层(7)中的氧比率比第一接合层(4A)中的氧比率及第二接合层(2A)中的氧比率高。

公开(公告)号：CN117859417A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202280056274.5

申请日：2022-08-15

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  多井知义 ,  滑川政彦

IPC: H10N30/853 ,  H10N30/87 ,  H10N30/06 ,  H10N30/097 ,  H03H3/08 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供翘曲的发生得以抑制的复合基板。本发明的实施方式的复合基板具有：支撑基板、以及配置于所述支撑基板的上方的压电膜，所述压电膜由利用Lotgering法求出的c轴取向度为80％以下的多晶体构成。

公开(公告)号：CN114868266A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202180007200.8

申请日：2021-01-07

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  鹈野雄大 ,  浅井圭一郎 ,  服部良祐 ,  丹羽真人 ,  滑川政彦

IPC: H01L41/053 ,  H01L41/09 ,  H01L41/31

Abstract: 本发明的课题在于，能够抑制由压电振动元件安装时施加的加热、超声波振动及施重所导致的裂纹或缺口。[0012]压电振动元件11具备：由块状的压电性材料形成的压电层2A、压电层2A的第一面2a上的下部电极3以及接合于下部电极3的支撑基板5。

公开(公告)号：CN112272920A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201980034943.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。

公开(公告)号：CN111919385A

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201980018675.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/312

Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。

公开(公告)号：CN112612149B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202011031274.9

申请日：2020-09-27

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 多井知义 ,  鹈野雄大 ,  近藤顺悟 ,  小林义政 ,  菱木达也 ,  小林博治

IPC: G02F1/035 ,  G02F1/03

Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。

公开(公告)号：CN114144897A

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN202080029092.X

申请日：2020-02-21

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部良祐 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义 ,  鹈野雄大

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/187 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。

公开(公告)号：CN112272920B

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN201980034943.7

申请日：2019-04-17

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 鹈野雄大 ,  后藤万佐司 ,  多井知义

IPC: H03H9/25

Abstract: 将包含单晶硅的支撑基板接合于压电性单晶基板而得到的接合体中，使用高电阻接合层，且使支撑基板与压电性单晶基板之间的接合强度得到提高。接合体5、5A具备：压电性单晶基板4、4A；支撑基板1，其包含单晶硅；接合层2A，其设置于支撑基板1与压电性单晶基板4、4A之间，且组成为Si(1－x)Ox(0.008≤x≤0.408)；以及非晶质层8，其设置于支撑基板1与接合层2A之间，且含有硅原子、氧原子以及氩原子。非晶质层8的接合层2A侧端部中的氧原子的浓度高于接合层2A内的氧原子的平均浓度。

公开(公告)号：CN111919385B

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN201980018675.X

申请日：2019-03-14

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H01L41/09 ,  H01L41/312

Abstract: 提高由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板与压电性单晶基板的接合强度，并且提高Q值。接合体(5、5A)具备：由多晶陶瓷材料或单晶材料形成的支撑基板(1)、压电性单晶基板(4、4A)、以及设置在支撑基板与压电性单晶基板之间的接合层(2A)。接合层(2A)具有Si(1‑x)Ox(x为氧比率)的组成。氧比率从接合层(2A)的压电性单晶基板(4、4A)侧的端部向接合层(2A)的支撑基板(1)侧的端部增加或减少。接合层(2A)中的氧比率x的最大值为0.013以上0.666以下，氧比率x的最小值为0.001以上0.408以下。

公开(公告)号：CN110463038B

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201880001047.6

申请日：2018-03-22

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 后藤万佐司 ,  鹈野雄大 ,  浅井圭一郎 ,  多井知义

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: 对于包括：包含多晶陶瓷材料或单晶材料的支撑基板、压电性单晶基板和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层的接合体，提高接合层处的绝缘性，并且提高支撑基板与压电性单晶基板的接合强度。接合体5包括：支撑基板1、压电性单晶基板4和在支撑基板与压电性单晶基板之间设置的接合层2A。接合层2A具有Si(1‑x)Ox(0.008≤x≤0.408)的组成。